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좁은 분자량 분포를 가지는 고불소화 포토레지스트 고분자를 이용한 유기발광 다이오드 소자 제조방법(Preparing method of organic light emitting diode device using perfluorinated photoresist polymers with narrow molecular weight distribution)

  • 기술번호 : KST2018004258
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 좁은 분자량 분포를 가지는 고불소화 포토레지스트 고분자를 이용한 유기발광 다이오드 소자 제조방법에 관한 것으로서, 분자량 분포가 조절된 고불소화 고분자를 포함하는 포토레지스트 재료를 이용함으로써 고불소계 용제에 대한 용해도가 우수하여 단시간에 잔막의 형성 없이 깨끗이 용해될 수 있고, 이로 인하여 OLED 발광 화소의 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL C08F 18/20 (2006.01.01) C08F 20/16 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC C08F 18/20(2013.01) C08F 18/20(2013.01) C08F 18/20(2013.01) C08F 18/20(2013.01)
출원번호/일자 1020160052352 (2016.04.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1784104-0000 (2017.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진균 대한민국 인천광역시 연수구
2 손종찬 대한민국 경기도 오산시 오산로***번길 **,
3 이아름 대한민국 인천광역시 강화군
4 박혜진 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0411193-77
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0444124-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0050249-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0175355-88
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0420330-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0420332-73
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0672014-04
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1054982-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA)와 터트-부틸 메타크릴레이트(tBMA)를 단량체로 하여 (4~8) : 1의 몰비로 랜덤 공중합하고, 분자량 분포(Mw/Mn)가 1
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 따른 분자량 분포가 좁은 고불소화 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 재료
4 4
투명 전극 상에 정공주입층 및 정공수송층을 진공 증착하는 단계(제1단계);상기 정공주입층 및 정공수송층이 증착된 인듐주석산화물 상에 청구항 1에 따른 분자량 분포가 좁은 고불소화 고분자를 포함하는 포토레지스트 용액을 도포하는 단계(제2단계);상기 포토레지스트 용액이 도포된 전극을 노광한 후, 미노광부를 현상액으로 용해시켜 네거티브형 패턴을 투명 전극 상에 형성하는 단계(제3단계); 및상기 형성된 네거티브형 패턴 상에 발광층을 증착한 후, 전자 수송층, 전자 주입층, 및 금속 전극을 추가적으로 진공 증착하는 단계(제4단계);를 포함하는, 유기발광다이오드 소자 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 유기발광다이오드 소자 제조방법은 제2단계 내지 제4단계를 2 내지 4회 반복수행 하는 것을 특징으로 하는, 유기발광다이오드 소자 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교산학협력단 산업핵심기술개발사업 고불소계 재료 기반 포토리소그라피 패터닝 공정을 통한 10 μm급 OLED픽셀 제조기술 개발