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가공물과 전극의 간격 설정 방법(Method for interval distance setting between workpiece and electrode)

  • 기술번호 : KST2018004262
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전해 가공 작업 시 가공물과 전극의 간격을 설정하는 방법으로서, 상기 가공물의 가공 대상면에 필름을 코팅하는 단계; 상기 가공물을 수조 내에 배치하는 단계; 상기 수조 내에 상기 전극을 상기 가공 대상면에 대향하도록 배치하는 단계; 상기 필름에 상기 전극을 접촉시키는 단계; 및 상기 필름을 제거하는 단계; 를 포함하는 가공물과 전극의 간격 설정 방법을 제공한다.본 발명은, 전해 가공 공정 수행 시, 가공물과 전극 사이에 필름을 배치하여 가공물과 전극 사이에 필름의 두께에 해당하는 간격이 형성되도록 할 수 있다.
Int. CL B23H 3/00 (2006.01.01) B23H 7/18 (2006.01.01) B23H 7/32 (2006.01.01) B23H 11/00 (2006.01.01)
CPC B23H 3/00(2013.01) B23H 3/00(2013.01) B23H 3/00(2013.01) B23H 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020160121471 (2016.09.22)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1780601-0000 (2017.09.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은상 대한민국 서울특별시 양천구
2 최웅걸 중국 인천광역시 남구
3 김성현 대한민국 서울특별시 동작구
4 최승건 대한민국 인천광역시 중구
5 진다솜 대한민국 인천광역시 연수구
6 문기창 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0919608-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0134022-63
4 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0637895-24
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
전해 가공 작업 시 가공물과 전극의 간격을 설정하는 방법으로서, 상기 가공물의 가공 대상면에 필름을 코팅하는 단계;상기 가공물을 수조 내에 배치하는 단계;상기 수조 내에 상기 전극을 상기 가공 대상면에 대향하도록 배치하는 단계; 상기 필름에 상기 전극을 접촉시키는 단계; 및상기 필름을 제거하는 단계; 를 포함하는 가공물과 전극의 간격 설정 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 필름은 DFR(Dry film resist; 건식 필름 레지스트) 필름을 포함하는 가공물과 전극의 간격 설정 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 필름 제거는 상기 필름에 대한 에칭액 공급에 의해 이루어지는 가공물과 전극의 간격 설정 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 에칭액은 상기 수조 내에서 상기 가공물과 상기 전극이 잠기도록 공급되는 가공물과 전극의 간격 설정 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 에칭액은 NaOH 또는 아세톤을 포함하는 가공물과 전극의 간격 설정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 인하대학교 산학협력단 도약연구 초정밀 3차원 마이크로 패턴형상 및 초경면 구현을 위한 전기/화학/기계 융합공정