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실리콘 나노 분말의 제조방법 및 실리콘 나노 분말을 제조하기 위한 RF 열플라즈마 장치(Method of manufacturing of silicon nanopowder and Apparatus of manufacturing of silicon nanopowder)

  • 기술번호 : KST2018004320
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 최적의 냉각 가스 주입 위치와 유량조건에서 입자의 크기를 선택적으로 제조하는 실리콘 나노 분말의 제조방법 및 실리콘 나노 분말을 제조하기 위한 RF 열플라즈마 장치를 제공하는 것이다. 실리콘 나노 분말의 제조 방법은, RF 열플라즈마 장치에 RF 열플라즈마 발생 가스를 공급하여 RF 열플라즈마를 발생시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 RF 열플라즈마 발생 가스의 공급 방향에 대하여 반대방향으로 냉각 장치를 통해 냉각 가스를 주입하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 발생된 RF 열플라즈마에 실리콘 원료 분말을 공급하여 기화 및 냉각시키는 단계(단계 3); 를 포함한다. 또한, 실리콘 나노 분말을 제조하기 위한 RF 열플라즈마 장치는 열플라즈마를 발생시키는 토치; 상기 토치에서 발생되는 열플라즈마의 유동 방향으로 확장되는 반응기; 상기 발생된 열플라즈마에 실리콘 원료 분말을 주입하는 원료 공급 장치; 상기 플라즈마 발생 가스의 주입 방향에 대하여 반대방향으로 냉각 가스를 주입하는 냉각 장치;를 포함한다.
Int. CL C01B 33/18 (2006.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160044203 (2016.04.11)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1724359-0000 (2017.04.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박동화 대한민국 서울특별시 서초구
2 안화승 대한민국 서울특별시 성북구
3 김태희 대한민국 서울특별시 구로구
4 이승준 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0346445-74
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0371527-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0004213-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0025702-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0125038-67
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0125078-83
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0226130-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
RF 열플라즈마 장치에 RF 열플라즈마 발생 가스를 공급하여 RF 열플라즈마를 발생시키는 단계(단계 1);상기 단계 1의 RF 열플라즈마 발생 가스의 공급 방향에 대하여 반대방향으로 냉각 장치를 통해 냉각 가스를 주입하는 단계(단계 2); 및상기 단계 1에서 발생된 RF 열플라즈마에 실리콘 원료 분말을 공급하여 기화 및 냉각시키는 단계(단계 3);를 포함하고,상기 단계 2의 냉각 가스의 유량은 65 내지 75 L/min이고, 상기 단계 2의 냉각 장치의 노즐과 토치 출구와의 간격이 300 내지 400 mm 인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 2의 냉각 가스는 단계 1에서 발생된 플라즈마 영역 중심부를 향하여 주입되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 단계 1의 열플라즈마 발생 가스는 수소 및 아르곤인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 3의 실리콘 원료 분말은 실리콘 웨이퍼의 생산과정에서 발생된 불량품을 분쇄한 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 분쇄된 실리콘 원료 분말의 직경은 38 μm 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 인하대학교 산학협력단 기초연구실육성사업(BRL) [Ezbaro] 고기능 다공성 물질 기초연구실