맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법(Manufacturing Method of Micrometer sized Silver (Ag) coated Nickel (Ni) Particle Using Nontransferable Thermal Plasma System)

  • 기술번호 : KST2018004337
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법에 관한 것으로, 반응관, 상기 반응관과 연결된 반응기, 상기 반응관 내부에 플라즈마 제트를 발생시키는 플라즈마 토치, 상기 플라즈마 토치에 전원을 공급하는 DC 전원 공급장치, 상기 반응관 내부에 분말을 공급하는 원료 공급 장치를 포함하는 비이송식 열플라즈마 장치를 준비하는 단계, 상기 원료 공급 장치 내에 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말을 넣는 단계, 상기 원료 공급 장치로부터 상기 반응관 내부로 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말을 공급하는 단계, 상기 DC 전원 공급 장치가 전원을 공급하여 상기 플라즈마 토치가 플라즈마 제트를 발생시키는 단계 및 상기 반응관 내에서 니켈(Ni) 분말의 표면에 은(Ag)이 코팅되는 단계를 포함한다.
Int. CL B22F 9/04 (2006.01.01) B22F 1/02 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01)
CPC B22F 9/04(2013.01)B22F 9/04(2013.01)B22F 9/04(2013.01)B22F 9/04(2013.01)B22F 9/04(2013.01)B22F 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150087330 (2015.06.19)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1679725-0000 (2016.11.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.19)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박동화 대한민국 서울특별시 서초구
2 김태희 대한민국 경기도 부천시 소사구
3 박시택 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0594715-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0421178-17
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0703765-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0703754-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0826028-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응관, 상기 반응관과 연결된 반응기, 상기 반응관 내부에 플라즈마 제트를 발생시키는 플라즈마 토치, 상기 플라즈마 토치에 전원을 공급하는 DC 전원 공급장치, 상기 반응관 내부에 분말을 공급하는 원료 공급 장치를 포함하는 비이송식 열플라즈마 장치를 준비하는 단계;상기 원료 공급 장치 내에 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말을 넣는 단계;상기 원료 공급 장치로부터 상기 반응관 내부로 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말을 공급하는 단계;상기 DC 전원 공급 장치가 전원을 공급하여 상기 플라즈마 토치가 플라즈마 제트를 발생시키는 단계; 상기 반응관 내에서 상기 니켈(Ni) 분말이 용융되어 구형을 형성하는 단계; 및상기 용융된 니켈 분말의 표면에 상기 은(Ag) 분말이 기화되어 코팅되는 단계;를 포함하는 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 원료 공급 장치 내에 넣는 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말의 질량비는 10:1 내지 5:1인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 반응관 내에서 니켈(Ni) 분말의 표면에 은(Ag)이 코팅되는 단계는, 플라즈마 제트(Plasma Jet)에 의해 은(Ag) 분말이 기화되어 상기 니켈(Ni) 분말의 표면에 코팅이 되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 원료 공급 장치로부터 상기 반응관 내부로 니켈(Ni) 분말 및 은(Ag) 분말을 공급하는 단계는, 상기 원료 공급 장치 내부로 캐리어 가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 캐리어 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 DC 전원 공급 장치에서 공급되는 전원은 전류 300 A 및 전압 30 V인 것을 특징으로 하는 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 DC 전원 공급 장치가 전원을 공급하여 상기 플라즈마 토치가 플라즈마 제트를 발생시키는 단계는, 상기 반응관 내로 플라즈마 작동 가스를 공급하는 단계를 더 포함하고, 상기 플라즈마 작동 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 비이송식 열플라즈마 방법을 이용하여 은(Ag) 코팅된 마이크로 크기의 니켈(Ni) 입자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)대주전자재료 World Class 300 프로젝트(WC-300) 고효율(21％), 저비용 걸정질 실리콘 태양전지 전극소재 개발