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스퍼터링 증착을 이용한 Zn(O,S)박막의 제조방법(Preparation Method of Zn(O,S) Thin Film Using Sputtering Deposition)

  • 기술번호 : KST2018004360
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Zn(O,S) 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 최적의 스퍼터링 증착으로 광학적 특성과 구조적 특성이 우수한 고품질의 Zn(O,S) 박막을 핀홀 발생 없이 표면이 균일하게 대면적으로 제조할 수 있는 Zn(O,S) 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 Zn(O,S) 박막을 제공하는데 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020150090467 (2015.06.25)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1662993-0000 (2016.09.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구
2 최지현 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0616742-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0036336-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0246301-96
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0246290-71
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0506355-18
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.08.09 수리 (Accepted) 7-1-2016-0047546-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0876382-27
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0876390-93
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0686739-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 및 황화아연 타겟을 챔버 내부에 도입하고, 챔버 압력이 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 소다석회유리(sodalime glass), CIGS/Mo, CIGS/Mo/glass, 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 실리콘, CdTe, MgCdTe, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 및 CdTe/SnO2/Glass로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Zn(O,S) 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 산소계 가스는 O2, O3, 및 이들의 혼합가스로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Zn(O,S) 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne 및 Ar로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 Zn(O,S) 박막의 제조방법
8 8
제1항, 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되고, 박막 두께 70 nm ~ 200 nm의 경우, 300 nm ~ 800 nm에서의 평균 광투과도가 80 % 이상이고, 박막의 산소함량(O/S+O)은 0
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.