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용매, 폴리실라잔 및 파장 변환제를 포함하고, 가시광 투과도가 수용액 대비 50% 이상인 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제1항에 있어서, 상기 폴리실라잔은 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물:003c#화학식 1003e#상기 식에서, m 및 n은 1~500 사이의 정수이고,R1, R2, R4 및 R5 는 각각 수소, 메틸, 비닐, 또는 페닐이며, 서로 동일하거나 다르고,R3 및 R6 는 각각 수소, 트리메틸실릴, 또는 알콕시실릴프로필이며, 서로 동일하거나 다르다
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제1항에 있어서, 상기 폴리실라잔의 함량은 전체 조성물 대비 1~99 부피%인 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제1항에 있어서, 상기 파장 변환제는 란탄계 화합물 및 전이금속 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제4항에 있어서, 상기 란탄계 화합물 및 전이금속 화합물은 질산계, 탄산계, 할로겐계, 황산계, 산화계, 인산계, 아세테이트, 아세토아세틸, 혹은 배위결합된 유기화합물계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제1항에 있어서, 상기 파장 변환제는 유기물 발광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제6항에 있어서, 상기 유기물 발광체는 방향족, 지환족, 에테르, 할로겐화된 탄화수소 또는 테르펜 작용기를 포함하는 유기단량체 및 그 중합체로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제1항에 있어서, 상기 파장 변환제는 입자 크기가 2~40nm인 반도체 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제8항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 CdTe/CdSe, CdS(Se)/CdTe, CdS(Se)/ZnTe, CuInS(Se)/ZnS(Se), Cu(GaIn)S(Se)/ZnS(Se), ZnTe/CdS(Se), GaSb/GaAs, GaAs/GaSb, Ge/Si, Si/Ge, PbSe/PbTe, PbTe/PbSe,CdTe, CdSe, ZnTe, CuInS, CuGaS, Cu(Ga,In)S, CuGaSnS(Se), CuGaS(Se), CuSnS(Se), ZnS, CuInSe
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제1항에 있어서, 상기 파장 변환제는 입자 크기가 100nm 이하인 무기물 나노형광체 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제10항에 있어서, 상기 무기물 나노형광체 분말은 산화계, 할로겐계, 질소계, 및 실리케이트계 분말 중 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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제1항에 있어서, 상기 파장 변환제의 함량은 상기 폴리실라잔 중량 대비 대비 0
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제1항에 있어서, 상기 용매는 석유 용매, 방향족, 지환족 용매, 에테르, 할로겐화된 탄화수소 또는 테르펜 혼합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 코팅 조성물
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14
제1항에 있어서, 경화 촉매, 결합제 및 금속 입자를 더 포함하고, 상기 경화 촉매, 결합제 및 금속 입자의 전체 함량은 전체 코팅 조성물 대비 0
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15
제1항의 코팅 조성물을 기재 상에 도포하여 경화시킨 것을 특징으로 하는 박막
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제15항에 있어서, 상기 기재는 플라스틱, 스텐레스, 유리, 퀄츠, 태양전지, LED 칩 및 섬유 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막
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제15항에 있어서, 가시광 투과도가 공기 대비 50% 이상인 것을 특징으로 하는 박막
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제15항에 있어서, 폴리실라잔 보호층을 더 가지는 것을 특징으로 하는 박막
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제15항에 있어서, 상기 경화는 가열, 빛 조사, 상온 배치, 수분주입 및 촉매주입 중 1 이상의 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막
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