| 1 |
1
그 표면에 보호층이 형성된 고체 전해질; 및고분자 결착제(polymer binder)를 포함하되,상기 보호층은 산화물, 질화물, 및 황화물 중 적어도 하나를 포함하는 무기층, 폴리도파민 유도체를 포함하는 유기층, 및 유기 실란(organosilane)을 포함하는 자기조립단분자층(self-assembled monolayer) 중 적어도 하나를 포함하는 고체 전해질 조성물
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 유기 실란은 펜틸트리클로로시란(Phenethyltrichlorosilane: PETCS), 페닐트리클로로실란(Phenyltrichlorosilane: PTCS), 벤질트리클로로실란(Benzyltrichlorosilane: BZTCS), 토일트리클로로실란(Tolyltrichlorosilane: TTCS), 2-[(트리메톡시실일)에틸]-2-피리딘[2-{(trimethoxysilyl)ethl}-2-pyridine: PYRTMS)], 4-바이페닐일트리메톡시실란(4-biphenylyltrimethowysilane: BPTMS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane: OTS), 1-나프틸트리메톡시실란(1-Naphthyltrimehtoxysilane: NAPTMS), 1-{(트리메톡시실일)메틸}나프탈렌[1-{(trimethoxysilyl)methyl]}naphthalene: MNATMS] , (9-메틸안트라세닐)트리메톡시실란{(9-methylanthracenyl)trimethoxysilane: MANTMS}, 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilane: APTES), 및 이들의 유도체로 구성되는 군에서 선택되는 유기물질인 고체 전해질 조성물
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 산화물은 C, Al, Si Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Ta, W, Pt, Li, Be, B, Mg, Al, Si, P, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, In, Sn, Sb, Ba, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Yb, Lu, Hf, W, Ir, Pt, 및 Pb 중 적어도 하나를 포함하고,상기 질화물은 B, Al, Si, Ti, Cu, Ga, Zr, Nb, Mo, In, Hf, Ta, 및 W 중 적어도 하나를 포함하고,상기 황화물은 Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, Y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 고체 전해질 조성물
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 고체 전해질은 칼코게나이드계 고체 전해질인 고체 전해질 조성물
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 고체 전해질은 황화물을 포함하는 칼코게나이드계 고체 전해질인 고체 전해질 조성물
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 고체 전해질은 Li10SnP2S12, Li4-xSn1-xAsxS4(x=0~100), Li3
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 보호층의 두께는 0
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,반양성자성 용매를 더 포함하되,상기 반양성자성 용매는 테트라하이드로퓨란(THF), 아세톤, 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), N-메틸피롤리돈(NMP), 벤젠, 클로로벤젠, n-헥산(n-Hexane), 톨루엔, 자일렌, n-옥탄(n-Octane), 아세토나이트릴(AN), 디에틸에테르, 디클로로메탄, 에틸아세테이트, 사이클로헥산, 펜탄, 클로로포름, 및 메틸에틸케톤(MEK) 중 적어도 하나를 포함하는 고체 전해질 조성물
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 고분자 결착제는 폴리에틸렌, 폴리프로펠린, 에틸렌비닐아세테이트 공중합체, 에틸렌비닐알콜 공중합체, 에틸렌비닐아세틸산 공중합체, 부타디엔고무, 스티렌부타디엔고무, 및 니트릴부타디엔고무 중 적어도 하나를 포함하는 고체 전해질 조성물
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 보호층이 형성된 상기 고체 전해질 및 상기 고분자 결착제는 99
|
| 11 |
11
고체 전해질을 제공하는 것;상기 고체 전해질의 표면 상에 보호층을 형성하는 것;반양성자성 용매에 고분자 결착제가 용해된 베이스 용액을 제공하는 것; 및상기 베이스 용액에 상기 보호층이 형성된 상기 고체 전해질을 혼합하는 것을 포함하되,상기 보호층은 산화물, 질화물, 및 황화물 중 적어도 하나를 포함하는 무기층, 폴리도파민 유도체를 포함하는 유기층, 및 유기 실란(organosilane)을 포함하는 자기조립단분자층(self-assembled monolayer) 중 적어도 하나를 포함하는 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 보호층을 형성하는 것은, 원자층 증착 공정을 이용하여 상기 고체 전해질의 상기 표면 상에 상기 무기층을 형성하는 것을 포함하는 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서,상기 보호층을 형성하는 것은, 딥 코팅(dip-coating) 공정을 이용하여 상기 고체 전해질의 상기 표면 상에 상기 유기층을 형성하는 것을 포함하되,상기 유기층을 형성하는 것은, 상기 폴리도파민 유도체가 용해된 용액을 이용하여 상기 딥 코팅(dip-coating) 공정을 수행하는 것을 포함하는 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 11에 있어서,상기 보호층을 형성하는 것은, 딥 코팅(dip-coating) 공정을 이용하여 상기 고체 전해질의 상기 표면 상에 상기 자기조립단분자층을 형성하는 것을 포함하되,상기 자기조립단분자층을 형성하는 것은, 상기 유기실란이 용해된 용액을 이용하여 상기 딥 코팅(dip-coating) 공정을 수행하는 것을 포함하는 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 용액 내 상기 유기실란의 농도는 1mM 내지 1M인 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 14에 있어서,상기 용액은 톨루엔, 헥산, 클로로포름, 디에틸 에테르, 싸이클로헥산, 벤젠 및 이들의 조합으로부터 선택되는 용매를 이용하여 형성되는 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 14에 있어서,상기 딥 코팅(dip-coating)의 반응 시간은 0
|
| 18 |
18
청구항 11에 있어서,상기 베이스 용액 내 상기 고분자 결착제의 농도는 1중량% 내지 50중량%인 고체 전해질 조성물의 제조방법
|
| 19 |
19
청구항 11에 있어서,상기 보호층이 형성된 상기 고체 전해질은 상기 고분자 결착제에 대하여 99
|
| 20 |
20
양극층 및 음극층을 제공하는 것; 및고체 전해질 조성물을 이용한 습식 공정을 수행하여 고체 전해질층을 형성하는 것을 포함하되,상기 고체 전해질층은 상기 양극층과 상기 음극층 사이에 제공되고,상기 고체 전해질 조성물은:그 표면에 보호층이 형성된 고체 전해질;반양성자성 용매(aprotic solvent); 및고분자 결착제(polymer binder)를 포함하고,상기 보호층은 산화물, 질화물, 및 황화물 중 적어도 하나를 포함하는 무기층, 폴리도파민 유도체를 포함하는 유기층, 및 유기 실란(organosilane)을 포함하는 자기조립단분자층(self-assembled monolayer) 중 적어도 하나를 포함하는 전고체 전지의 제조방법
|
