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고효율 유기발광소자의 제조방법(Method for fabricating organic light emitting diode having high efficiency)

  • 기술번호 : KST2018004532
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율 유기발광소자의 제조방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 기존의 투명양극전극으로 사용하는 인듐산화주석(ITO)을 사용하지 않고 표면이 텍스처링된 AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연)을 투명양극전극으로 제조함으로써 외부 광추출 효율을 향상시킨 고효율 유기발광소자의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 고효율 유기발광소자의 제조방법에 의하면 기존의 투명양극전극으로 사용하는 인듐산화주석(ITO)을 사용하지 않고 표면이 텍스처링된 AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연)을 투명양극전극으로 제조함으로써 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 고효율 유기발광소자의 제조방법에 의하면 별도의 층을 삽입하거나 또는 투명양극전극을 형성한 후 별도의 처리공정을 수행하지 않고, 표면이 텍스처링된 AZO 투명양극전극을 제조하는 한 번의 공정을 통하여 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020160139473 (2016.10.25)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0045409 (2018.05.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180009928;
심사청구여부/일자 Y (2016.10.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최범호 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 이종호 대한민국 광주광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-1039014-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0802577-47
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0057822-52
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0093292-97
5 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0093271-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0093280-49
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0415565-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 제1단계;상기 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 표면이 텍스처링된 AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연) 투명양극전극을 형성하는 제2단계; 및상기 투명양극전극 상에 발광층을 포함하는 유기물층을 형성하는 제3단계; 및상기 유기물층 상에 음극전극을 형성하는 제4단계;를 포함하되,상기 제2단계는상기 기판상에 900~1100W의 RF 파워를 인가하여 제1 AZO 투명박막을 10~50㎚의 두께로 형성하는 제2-1단계;상기 제1 AZO 투명박막을 150~250℃ 범위의 일정 온도에서 열처리하는 제2-2단계;상기 제1 AZO 투명박막 상에 200~400W의 RF 파워를 인가하여 제2 AZO 투명박막을 60~100㎚의 두께로 형성하는 제2-3단계;상기 제2 AZO 투명박막을 150~250℃ 범위의 일정 온도에서 열처리하는 제2-4단계; 및상기 제2 AZO 투명박막 상에 900~1100W의 RF 파워를 인가하여 제3 AZO 투명박막을 10~50㎚의 두께로 형성하는 제2-5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유기기판인 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명양극전극은 가시광선 영역에서 85% 이상의 투과도와, 10ohm/square 이하의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명양극전극은 RF 마그네트론 스퍼터 파워에 따른 전하이동도가 27㎠/V이고, 비저항이 3
5 5
유리기판;상기 유리기판상에 형성된 표면이 텍스처링된 AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연) 투명양극전극; 및상기 투명양극전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 유기물층; 및상기 유기물층 상에 형성된 음극전극;을 포함하되,상기 투명양극전극은 상기 기판상에 900~1100W의 RF 마그네트론 스퍼터 파워를 인가하여 10~50㎚의 두께로 형성된 제1 AZO 투명박막;상기 제1 AZO 투명박막 상에 200~400W의 RF 마그네트론 스퍼터 파워를 인가하여 60~100㎚의 두께로 형성된 제2 AZO 투명박막; 및상기 제2 AZO 투명박막 상에 900~1100W의 RF 마그네트론 스퍼터 파워를 인가하여 10~50㎚의 두께로 형성된 제3 AZO 투명박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 투명양극전극은 표면이 플레이크(flake) 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자
7 7
제 5 항 또는 제 6항에 있어서,상기 투명양극전극은 가시광선 영역에서 85% 이상의 투과도와, 10ohm/square 이하의 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 고효율 유기발광소자
8 8
제 5 항 또는 제 6항에 있어서,상기 투명양극전극은 RF 마그네트론 스퍼터 파워에 따른 전하이동도가 27㎠/V이고, 비저항이 3
9 9
삭제
10 10
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180045867 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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