[KST2015163195][한국전기연구원] |
고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법 |
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[KST2021000258][한국전기연구원] |
강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법 |
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[KST2014011901][한국전기연구원] |
금속 게이트 전극을 갖는 탄화규소 모스펫 소자 및 그제조방법 |
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[KST2015164324][한국전기연구원] |
SiC와 SiO2 계면의 계면 준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법 |
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[KST2014011982][한국전기연구원] |
플라즈마 이온 주입장치 및 그 플라즈마 이온 주입방법 |
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[KST2019000436][한국전기연구원] |
낮은 결함 밀도 및 저저항을 갖는 SiC 금속 산화물 반도체 소자의 제조 방법 |
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[KST2020004212][한국전기연구원] |
SiC 반도체의 깊은 준위 결함 제거 방법 |
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[KST2019022003][한국전기연구원] |
실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법 |
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[KST2021001910][한국전기연구원] |
트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법 |
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[KST2017007253][한국전기연구원] |
활성화 열처리 공정을 통한 탄화규소 다이오드 제조방법(SiC diode manufacturing method through the active heat treatment) |
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[KST2020004723][한국전기연구원] |
반도체와 금속 간의 박리 방지를 위한 열처리방법 |
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[KST2014012263][한국전기연구원] |
집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법 |
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[KST2017007439][한국전기연구원] |
전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 및 그 제조방법(Power semiconductor device and a method of manufacturing the same electric field limiting ring is formed) |
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[KST2018012065][한국전기연구원] |
반도체 웨이퍼 시닝 방법 |
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[KST2015163996][한국전기연구원] |
저항성을 갖는 다결정실리콘층을 사용한 종단 기술에 기반한 광 검출용 반도체 센서 구조 |
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[KST2015164363][한국전기연구원] |
웨이퍼 접합 기술을 활용한 마이크로 그리드 구조물 제조 방법 |
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[KST2017007334][한국전기연구원] |
아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법(Diode manufacturing method, including the amine-based polymer) |
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[KST2018004656][한국전기연구원] |
실리콘 카바이드 반도체 소자의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON-CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE) |
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[KST2018003618][한국전기연구원] |
전력 반도체 소자(POWER SEMICONDUCTOR DEVICE) |
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[KST2019002658][한국전기연구원] |
절연 또는 반절연 6H-SiC 기판에 구현된 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2021001911][한국전기연구원] |
마이크로웨이브 공기 플라즈마를 이용한 탄화규소 게이트 산화막 열처리 장치 |
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