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(a) 탄소나노튜브, 아민계 화합물 및 산무수물을 포함하는 탄소나노튜브 함유 용액을 반응시켜 아민화 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 아민화 탄소나노튜브, 수용성 고분자 및 물을 혼합한 수분산액을 초음파 처리하는 단계 및 (c) 상기 초음파 처리된 아민화 탄소나노튜브를 템플레이트로 하고, 상기 초음파 처리된 아민화 탄소나노튜브, 금속전구체 및 용매를 비활성분위기 하에서 혼합한 후 환원제를 넣고 반응시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계의 산무수물은 다환 방향족 고리형 산무수물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 다환 방향족 고리형 산무수물은 피렌계 고리형 산무수물, 크리센계 고리형 산무수물, 페릴렌계 고리형 산무수물, 트리페닐렌계 고리형 산무수물 및 코로넨계 고리형 산무수물 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 수용성 고분자는 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 카르복시메틸셀룰로오스 및 이들의 염 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 수용성 고분자는 중량평균분자량이 1,000 내지 20,000g/mol인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 다중벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 용액을 반응시킨 후 원심분리한 후 건조하는 것을 더 포함하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 수분산액을 반응시킨 후 원심분리한 후 건조하는 것을 더 포함하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 비활성분위기 하에서 혼합은 110 내지 150℃에서 실시하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 금속전구체는 적어도 하나이상의 카르복실기를 포함하는 C2~C24의 직쇄형 또는 분지형의 지방족, 지방족 고리 또는 방향족 카르복실산 또는 그 유도체인 에스테르 화합물로부터 유래되는 금속의 카르복실산염인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 환원제는 하이드라진계, 하이드라이드계, 소듐포스페이트계 및 아스크로브산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 탄소나노튜브 템플레이트를 이용한 금속나노와이어의 제조방법
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