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나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법 및 이에 의해 제작된 형광 기판(Manufacturing method of fluorescent substrate that have a naso-structure and a fluorescent substrate manufactured by the method)

  • 기술번호 : KST2018004713
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법 및 이에 의해 제작된 형광 기판에 관한 것으로, 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 코팅단계; 상기 포토레지스트층에 양각영역의 상대적인 돌출을 가능하게 하는 제거영역이 형성될 수 있도록, 그 제거영역과 대응되는 홀 어레이가 형성된 마스크를 상기 포토레지스트층에 배치시킨 후 상기 마스크 측으로 빛을 조사시키는 노광단계; 상기 마스크를 포토레지스트층으로부터 제거하는 마스크 제거단계; 상기 제거영역을 포함한 상기 포토레지스트층의 전체 표면에 나노 사이즈의 금속 구조물층을 형성시키는 나노 구조물 형성단계; 및 상기 제거영역의 제거에 의해 상대적으로 돌출 형성되는 상기 양각영역 부분에만, 상기 나노 사이즈의 금속 구조물층이 형성될 수 있도록, 상기 포토레지스트층을 현상시킴으로써 상기 제거영역 및 상기 금속 구조물층의 그 제거영역에 놓여진 부분을 함께 제거시키는 양각형 나노 구조물 생성단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL G01N 33/543 (2006.01.01) G03F 7/16 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01)
출원번호/일자 1020160130618 (2016.10.10)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0039790 (2018.04.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김석민 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 엄명용 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **-* ***호(서초동, 한림빌딩)(양우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0978127-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0038718-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0383324-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0705885-95
7 등록결정서
Decision to grant
2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0506125-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 코팅단계;상기 포토레지스트층에 양각영역의 상대적인 돌출을 가능하게 하는 제거영역이 형성될 수 있도록, 그 제거영역과 대응되는 홀 어레이가 형성된 마스크를 상기 포토레지스트층에 배치시킨 후 상기 마스크 측으로 빛을 조사시키는 노광단계;상기 마스크를 포토레지스트층으로부터 제거하는 마스크 제거단계; 상기 제거영역을 포함한 상기 포토레지스트층의 전체 표면에 나노 사이즈의 금속 구조물층을 형성시키는 나노 구조물 형성단계; 및상기 제거영역의 제거에 의해 상대적으로 돌출 형성되는 상기 양각영역 부분에만, 상기 나노 사이즈의 금속 구조물층이 형성될 수 있도록, 상기 포토레지스트층을 현상시킴으로써 상기 제거영역 및 상기 금속 구조물층의 그 제거영역에 놓여진 부분을 함께 제거시키는 양각형 나노 구조물 생성단계를 포함하여 이루어지는 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노 구조물 형성단계는,회전 경사 증착을 통해 상기 나노 사이즈의 금속 구조물층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양각형 나노 구조물 생성단계는,상기 포토레지스트층의 제거영역을 그 포토레지스트층으로부터 제거시킴으로써, 상기 기판이 외부로 노출되는 상태로 형성되는 음각영역과 잔류한 포토레지스트층에 의해 형성된 양각영역을 구별되게 생성시키고,상기 양각영역 상에 상기 나노 사이즈의 금속 구조물층이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 코팅단계는,상기 기판 상에 포토레지스트를 스핀 코팅하여 상기 포토레지스트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 코팅단계에서 형성된 상기 포토레지스트 층을 경화시키는 경화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조물이 형성된 형광 기판의 제조방법
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