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전이금속 양이온에 의하여 도핑된 망간 산화물 나노구조체로서,상기 망간 산화물 나노구조체는 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 망간 산화물 나노구조체:[화학식 1]Mn1-xMxO2-y,상기 화학식 1에서,M은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pt, Ag, Au, Cd, In, Tl, Sn, Pb, Sb, Bi, Zr, Te, Pd, Hf, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 전이금속을 포함하며, 0≤x003c#0
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제 1 항에 있어서,상기 망간 산화물은 α-MnO2인 것인, 망간 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 망간 산화물 나노구조체는, 상기 전이금속이 상기 망간 산화물의 망간 이온 자리에 부분적으로 치환된 것인, 망간 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속에 대한 상기 망간의 몰 비율은 1 : 1 내지 20인 것인, 망간 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 망간 산화물 나노구조체는 나노와이어(nanowire), 나노로드(nanorod), 나노입자(nanoparticle), 나노튜브(nanotube), 나노박막(nanolayer), 나노파이버(nanofiber), 또는 이들의 조합된 형태를 포함하는 것인, 망간 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 망간 산화물 나노구조체는 전기화학적 산소 발생 반응(oxygen evolution reaction) 및 산소 환원 반응(oxygen reduction reaction)에 대해 촉매적 활성을 나타내는 것인, 망간 산화물 나노구조체
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망간 전구체를 함유하는 용액 및 전이금속 전구체를 함유하는 용액을 혼합하여 교반하는 단계;및 상기 교반된 혼합 용액을 수열합성하여 상기 전이금속이 상기 망간 산화물의 망간 이온 자리에 부분적으로 치환됨으로써 전이금속 양이온에 의하여 도핑된 망간 산화물 나노구조체를 수득하는 단계를 포함하는, 망간 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 수열합성은 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 망간 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 수열합성은 1 시간 내지 120 시간 동안 수행되는 것인, 망간 산화물 나노구조체의 제조 방법
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10
제 7 항에 있어서,상기 전이금속에 대한 상기 망간의 몰 비율은 1 : 1 내지 20인 것인, 망간 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 망간 산화물 나노구조체를 포함하는, 전기화학 촉매
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제 11 항에 있어서,전기화학적 산소 발생 반응(oxygen evolution reaction) 및 산소 환원 반응(oxygen reduction reaction)에 대해 촉매적 활성을 나타내는, 전기화학 촉매
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