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제1 포트 및 제2 포트를 포함하는 주파수에 따라 산란 파라미터를 측정하는 네트워크 분석기; 및상기 제1 포트 및 제2 포트에 동축 케이블로 연결되고, 도전층 사이를 연결하는 비아를 포함하고, 적어도 최상부층 및 최하부층, 중간층을 포함하는 3층 이상의 도전층을 포함하는 다층 기판을 포함하고,상기 다층 기판은:상기 최상부층과 상기 최하부층 사이에 배치된 테스트 시료; 상기 최상부층과 상기 최하부층 사이에 배치된 쓰루(Through) 교정 시료;상기 최상부층과 상기 최하부층 사이에 배치된 반사(Reflect) 교정 시료; 및상기 최상부층과 상기 최하부층 사이에 배치된 라인(Line) 교정 시료;를 포함하고,상기 테스트 시료, 쓰루 교정 시료, 반사 교정 시료, 및 라인 교정 시료 각각은 동일한 구조의 상기 비아를 포함하는 제1 에러 박스 및 제2 에러 박스에 의하여 연결되고,상기 쓰루 교정 시료, 상기 반사 교정 시료, 및 상기 라인 교정 시료에 각각 대응하는 상기 네트워크 분석기를 통하여 측정된 쓰루 산란 파라미터(SMThru), 측정된 반사 산란 파라미터(SMReflect), 및 측정된 라인 산란 파라미터(SMLine)를 이용하여 상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 에러 항들을 산출하고,상기 테스트 시료에 대응하는 상기 네트워크 분석기를 통하여 측정된 테스트 시료 산란 파라미터(SMDUT)를 상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 상기 에러 항들을 이용하여 상기 테스트 시료의 산란 파라미터(SDUT)를 추출하는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 측정 장치
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제1 항에 있어서,상기 다층 기판은 4층 인쇄회로 기판이고,상기 다층 기판은 하부로부터 제1 내지 제4 도전층을 포함하고,상기 제1 에러 박스 및 제2 에러 박스 각각은:상기 제1 도전층은 접지된 제1 도전 패턴을 포함하고,상기 제2 도전층은 하부 신호 패턴을 포함하고,상기 제3 도전층은 상기 제1 도전 패턴과 나란히 연장되고 접지된 제3 도전 패턴을 포함하고,상기 제4 도전층은 상기 제1 도전 패턴과 나란히 연장되는 상부 신호 패턴을 포함하고,상기 상부 신호 패턴은 상기 하부 신호 패턴과 제1 비아를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 측정 장치
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제2 항에 있어서,상기 쓰루(Through) 교정 시료에서, 상기 제1 에러 박스의 상기 하부 신호 패턴은 상기 제2 에러 박스의 상기 하부 신호 패턴과 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 측정 장치
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제2 항에 있어서,상기 반사 교정 시료에서, 상기 제1 에러 박스의 상기 하부 신호 패턴은 상기 제1 도전 패턴, 제2 도전 패턴, 및 상기 제4 도전층에 배치된 상부 보조 패턴에 제2 비아를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 측정 장치
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제2 항에 있어서,상기 라인 교정 시료에서, 상기 제1 에러 박스의 상기 하부 신호 패턴은 상기 제2 에러 박스의 상기 하부 신호 패턴과 소정의 거리(L)을 가지고 위상차를 제공하도록 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 측정 장치
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전자파 임피던스 교정 방법에 있어서,다층 기판에 비아를 포함하고 제1 포트에 연결된 제1 에러 박스 및 제2 포트에 연결된 제2 에러 박스를 통하여 연결된 테스트 시료, 쓰루 교정 시료, 반사(Reflect) 교정 시료, 및 라인(Line) 교정 시료를 제공하는 단계;상기 쓰루 교정 시료, 상기 반사 교정 시료, 및 라인 교정 시료 각각을 네트워크 분석기를 통하여 측정된 쓰루 산란 파라미터(SMThru), 측정된 반사 산란 파라미터(SMReflect), 및 측정된 라인 산란 파라미터(SMLine)를 각각 측정하는 단계;상기 측정된 쓰루 산란 파라미터(SMThru), 상기 측정된 반사 산란 파라미터(SMReflect), 및 상기 측정된 라인 산란 파라미터(SMLine)를 이용하여 상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 에러 항들을 산출하는 단계; 상기 테스트 시료를 상기 네트워크 분석기를 통하여 측정된 테스트 시료 산란 파라미터(SMDUT)를 측정하는 단계; 및상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 상기 에러 항들을 이용하여 테스트 시료의 측정된 테스트 시료 산란 파라미터(SMDUT)과 상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 항들을 이용하여 상기 테스트 시료의 산란 파라미터(SDUT)를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 교정 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 에러 박스 및 상기 제2 에러 박스를 구성하는 에러 항들을 산출하는 단계는:상기 측정된 쓰루 산란 파라미터(SMThru), 상기 측정된 반사 산란 파라미터(SMReflect), 및 상기 측정된 라인 산란 파라미터(SMLine)을 측정된 쓰루 산란 전달 파라미터(TMThru), 측정된 반사 산란 전달 파라미터(TMRflect), 및 측정된 라인 산란 전달 파리미터(TMLine)로 각각 변환하는 단계; 및상기 측정된 쓰루 산란 전달 파라미터(TMThru), 상기 측정된 반사 산란 전달 파라미터(TMReflect), 및 상기 측정된 라인 산란 전달 파라미터(TMLine)를 다음의 식을 이용하여 연산하여 에러 항들을 산출하는 단계를 포함하고,e00는 제1 에러박스의 디렉티비티(directivity)이고,e33는 제2 에러박스의 디렉티비티(directivity)이고,e11은 제1 포트 매치이고,e22는 제2 포트 매치이고,e11e32는 트랜스미션 트랙킹(transmission tracking)이고,는 제1 에러 박스의 에러 매트릭스의 디터미넌트(determinant)이고,는 제2 에러 박스의 에러 매트릭스의 디터미넌트인 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 교정 방법
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제6 항에 있어서,상기 에러 항들을 산출하는 단계는:상기 측정된 라인 산란 전달 파리미터(TMLine) 및 상기 측정된 쓰루 산란 전달 파라미터(TMThru)을 이용하여, e00, e33, e10e01/e11, e32e23/e22를 산출하는 단계;상기 측정된 쓰루 산란 전달 파라미터(TMThru) 및 상기 측정된 반사 산란 전달 파라미터(TMReflect)를 이용하여 e11과 e22를 산출하는 단계; e11과 e10e01/e11을 이용하여 e10e01을 구하고, e22와 e32e23/e22을 이용하여, e32e23을 구하는 단계; 및 e10e32은 다음의 식을 이용하여 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 교정 방법
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제6 항에 있어서,상기 테스트 시료, 쓰루 교정 시료, 반사(Reflect) 교정 시료, 및 라인(Line) 교정 시료는 동일한 기판에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자파 임피던스 교정 방법
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