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스퍼터링 타겟 및 투명 도전막의 제조방법(Manufacturing method of sputtering target and transparent conductive film)

  • 기술번호 : KST2018004842
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인듐 전구체 및 티타늄 전구체 혼합용액을 알칼리 처리하여 제조하는 복합금속 산화물의 제조단계; 상기 복합금속 수산화물을 예비 소성하여 복합금속 산화물을 제조하는 산화단계; 얻어진 복합금속 산화물 분말을 포트에 넣고, 습식 볼밀 및 분쇄하며, 분쇄 시 바인더를 첨가하는 분쇄 및 혼합단계; 및 상기 예비 소성된 복합금속 산화물을 소결하여 금속 산화물 소결체를 제조하는 단계;를 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 제조된 투명 도전막은 전기전도성이 높으며, 적외선 투과도가 높고, 열안정성이 뛰어난 장점이 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C04B 35/64 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01) C04B 35/63 (2006.01.01) C04B 35/01 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01)
출원번호/일자 1020160138959 (2016.10.25)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0045155 (2018.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상헌 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-1035497-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0041230-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0004931-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0205659-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0205675-19
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0311548-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐 전구체 및 티타늄 전구체 혼합용액을 알칼리 처리하여 제조하는 복합금속 산화물의 제조단계; 상기 복합금속 수산화물을 예비 소성하여 복합금속 산화물을 제조하는 산화단계; 얻어진 복합금속 산화물 분말을 포트에 넣고, 습식 볼밀 및 분쇄하며, 분쇄 시 바인더를 첨가하는 분쇄 및 혼합단계; 및 상기 예비 소성된 복합금속 산화물을 소결하여 금속 산화물 소결체를 제조하는 단계;를 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 산화단계는 180 내지 280 ℃에서 수행되는 스퍼터링 타겟 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 금속 산화물 소결체를 제조하는 단계에서 소결은 1250 내지 1600 ℃에서 수행되는 스퍼터링 타겟 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 복합금속 산화물은 산화인듐 50~99
5 5
제 1항에 있어서,상가 복합금속 수산화물은 인듐, 티타늄 및 주석, 아연, 갈륨 및 안티몬에서 선택되는 하나 이상의 금속을 더 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 스퍼터링 타겟을 증착하여 증착막이 형성된 기재를 형성하는 단계; 및상기 증착막이 형성된 기재를 열처리하는 열처리 단계;를 포함하는 투명 도전막의 제조방법
7 7
제 6항의 제조방법으로 제조되며, 1200 내지 2500 ㎚의 파장 영역에서 광 투과율이 85% 이상인 태양전지용 투명 도전막
8 8
제 7항에 있어서, 상기 투명도전막은 전하이동도가 70 ~ 100 cm2/V·s이며 캐리어농도가 1x1020~ 4x1020 cm-3인 것을 특징으로 하는 투명도전막
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제 7항에 있어서, 상기 투명도전막은 50 내지 300 ℃의 저온 열처리를 하기 전에도 결정성을 가지며 상기 저온 열처리 후에는 결정성이 증대되는 것을 특징으로 하는 투명도전막
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한밭대학교산학협력단 산학연협력 기술개발사업(도약) 고효율 실리콘 태양전지용 투명전도성 금속 산화물 소재와 타겟 제조