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술폰화된 그래핀 옥사이드;술폰화된 탄소나노튜브; 및소수성 할로겐화 중합체, 소수성 폴리술폰계 중합체 및 소수성 폴리올레핀계 중합체에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 베이스수지;를 포함하며,하기 식 1을 만족하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제 1항에 있어서,상기 술폰화된 그래핀 옥사이드는 표면의 탄소 원자 대비 황 원자의 원자 비율(atomic ratio)이 10 내지 40 %인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제 1항에 있어서,상기 술폰화된 탄소나노튜브는 탄소나노튜브 표면의 탄소 원자 대비 황 원자의 원자 비율(atomic ratio)이 10 내지 40 %인 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제 1항에 있어서,상기 술폰화된 탄소나노튜브는 술폰화된 다중벽 탄소나노튜브인 친수성 분리막 제조용 조성물
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 베이스 수지는 술폰화된 폴리비닐리덴플루오라이드를 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제 1항에 있어서,상기 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물은 수용성 고분자 및 수용성 염에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 첨가제를 포함하는 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물
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제 7항에 있어서,상기 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물은 술폰화된 그래핀 옥사이드 0
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제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 8항에서 선택되는 어느 한 항의 친수성 분리막 제조용 고분자 조성물로 제조된 친수성 분리막
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10
삭제
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제 9항에 있어서,상기 친수성 분리막은 한외여과막, 미세여과막, 중공사막 또는 나노여과막인 것을 특징으로 하는 친수성 분리막
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