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적층구조 박막 제조방법, 이에 의해 제조된 적층구조 박막 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법(FABRICATION METHOD OF MULTILAYER FILM, AND MULTILAYER FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018004873
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 적층구조 박막 제조방법, 이에 의해 제조된 적층구조 박막 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법은 결정질 실리콘 기판(11)의 일면 또는 양면에 다공성 실리콘층(13)을 증착하는 단계와 상기 다공성 실리콘층(13)의 상면에 에피택시층(15)을 증착하는 단계와 상기 에피택시층(15)의 상면에 금속전극, 보호막, 접착촉진층 중 선택된 1종 이상으로 구성된 추가층(17)을 적층하는 단계를 포함하여 제조된다.본 발명은 습식공정이 없어 비용 절감의 효과 공정온도를 낮춰 공정 비용을 낮춤으로써 상용화를 가능하게 하는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 31/028 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020160132676 (2016.10.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0040854 (2018.04.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김가현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0992143-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0040969-86
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0049133-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0282098-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0402773-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0402774-52
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0586855-68
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0959670-10
11 법정기간연장승인서
 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0156600-61
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1067134-61
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1067135-17
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0764517-72
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 기판의 일면 또는 양면에 다공성 실리콘층을 증착하는 단계;상기 다공성 실리콘층의 상면에 에피택시층을 증착하는 단계; 및상기 에피택시층의 상면에 금속전극, 보호막, 접착촉진층 중 선택된 1종 이상으로 구성된 추가층을 적층하는 단계;를 포함하며,상기 증착은 플라즈마 공정에 의해 수행되며, 상기 다공성 실리콘층의 밀도는 플라즈마 공정 수행시, 상기 결정질 실리콘 기판 온도, 전구체 가스 비율, 및 플라즈마 파워를 포함하는 공정 파라메터의 조절에 의해 형성되며,상기 다공성 실리콘층의 증착 초반 밀도는 상기 공정 파라메터에 의해 상기 다공성 실리콘층 증착 후보다 낮게 형성되도록 조절되며, 상기 다공성 실리콘층 증착 후, 1000℃ 이하의 온도에서 수소 플라즈마 처리를 추가로 수행하여 상기 다공성 실리콘층 내의 공극률이 재조정되고,상기 다공성 실리콘층의 상면에 에피택시층을 증착하는 단계에서, 상기 에피택시층은 불순물을 포함하는 적층구조로 성장하며,상기 불순물을 포함하는 적층구조는 상기 불순물로 C, Ge 중 선택된 1종 이상을 포함하여 합금 구조로 제작하고, 상기 불순물로 B, P, Al, As 중 선택된 1종 이상을 포함하여 전기전도도를 통제하며, 상기 불순물로 O, N 중 선택된 1종 이상을 추가하여 유전체층을 제작하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조방법
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3 3
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5 5
청구항 1에 있어서,상기 에피택시층의 밀도는 상기 플라즈마 공정 수행시,상기 결정질 실리콘 기판 온도, 전구체 가스 비율, 및 플라즈마 파워를 포함하는 공정 파라메터의 조절에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 결정질 실리콘 기판 온도는 200~450℃ 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 전구체 가스는 SiH4, Si2H6, SiCl4, SiHCl3, SiF4 중 선택된 1종 이상을 H2 또는 He 가스에 희석시킨 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조 방법
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9 9
청구항 1에 있어서, 상기 에피택시층의 상면에 금속전극, 보호막, 접착촉진층 중 선택된 1종을 적층하는 단계 후,상기 결정질 실리콘 기판에 형성된 적층구조 박막을 상기 결정질 실리콘 기판으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 적층구조 박막이 박리된 상기 결정질 실리콘 기판은 상기 적층구조 박막 형성을 위한 다음번 공정에 재활용하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조 방법
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 금속전극, 보호막, 접착촉진층 중 선택된 1종 이상으로 구성된 추가층의 상면에 실리콘, 석영, 사파이어, 유리, 플라스틱, 금속호일 중 선택된 1종 이상의 재료로 만들어진 이종기판을 접합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층구조 박막 제조 방법
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 기상반응에피택시를 이용한 실리콘 기판 미래기술 개발