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태양전지 및 이의 제조방법(SOLAR CELL AND MEAUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL)

  • 기술번호 : KST2018004885
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 반도체로 이루어진 기판(110,210,310)과 상기 기판(110,210,310)의 전면에 형성된 전하 선택형 에미터층(130,230,330)과 상기 기판(110,210,310)의 후면에 형성된 전하 선택형 전계층(120,220,320)을 포함한다. 본 발명은 n형 결정질 실리콘 기판의 전면에 전하 선택형 에미터층을 형성하고 후면에 전하 선택형 전계층을 형성하여 캐리어 재결합을 방지하므로 태양전지의 손실을 줄이고 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01)
출원번호/일자 1020160140113 (2016.10.26)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0045587 (2018.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.26)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김가현 대한민국 대전광역시 유성구
2 송희은 대한민국 대전광역시 유성구
3 강민구 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정인 대한민국 대전광역시 유성구
5 김동석 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1042326-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0051531-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0256678-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0556563-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0556562-67
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0754027-98
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1185150-92
10 법정기간연장승인서
 2017.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0172102-76
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1309076-86
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1309077-21
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0098999-65
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0245573-98
15 법정기간연장승인서
 2018.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0039002-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체로 이루어진 기판;상기 기판의 전면에 형성된 전하 선택형 에미터층; 및상기 기판의 후면에 형성된 전하 선택형 전계층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 n형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 전하 선택형 에미터층은 SiO2와 p+ 도핑된 폴리실리콘 박막의 적층 구조이고, 상기 전하 선택형 전계층은 SiO2와 n+ 도핑된 폴리실리콘 박막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 전하 선택형 에미터층은 이종접합 에미터이고,상기 전하 선택형 전계층은 SiO2와 n+ 도핑된 폴리실리콘 박막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 이종접합 에미터는 P 타입이고 상기 기판에 비해 넓은 밴드 갭(Eg)을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
청구항 2에 있어서, 상기 전하 선택형 에미터층은 실리콘에 비해 높은 일함수를 가지는 전이금속 산화물이고,상기 전하 선택형 전계층은 SiO2와 n+ 도핑된 폴리실리콘 박막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 V2OX, MOOX를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 전이금속 산화물의 상부에 전기전도도를 보완하기 위한 투명전극이 적층되는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 투명전극은 ITO 또는 ZnO인 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
반도체로 이루어진 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 전면에 전하 선택형 에미터층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 후면에 전하 선택형 전계층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 기판은 n형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 기판의 전면에 전하 선택형 에미터층을 형성하는 단계는, 열처리, 습식공정, 스퍼터, CVD법 중 어느 하나의 방법으로 상기 기판의 전면에 SiO2 박막을 성장시키는 단계; 및상기 SiO2 박막의 상부에 p+ 도핑한 폴리실리콘 박막을 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 기판의 전면에 전하 선택형 에미터층을 형성하는 단계는, 수소화된 비정질 실리콘, 도핑한 미세결정질 실리콘 화합물, 도핑한 미세결정질 실리콘-탄소 합금 중 선택된 1종 이상을 스퍼터, CVD법 중 어느 하나의 방법으로 상기 기판의 전면에 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
14 14
청구항 11에 있어서, 상기 기판의 전면에 전하 선택형 에미터층을 형성하는 단계는, V2OX, MOOX 중 선택된 1종의 전이금속 산화물을 증발법, 스퍼터 중 어느 하나의 방법으로 상기 기판의 전면에 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 전이금속 산화물의 상부에 전기전도도를 보완하기 위한 투명전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 투명전극은 ITO 또는 ZnO인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
17 17
청구항 11에 있어서, 상기 기판의 후면에 전하 선택형 전계층을 형성하는 단계는,열처리, 습식공정, 스퍼터, CVD법 중 어느 하나의 방법으로 상기 기판의 후면에 SiO2 박막을 성장시키는 단계; 및상기 SiO2 박막의 하부에 n+ 도핑한 폴리실리콘 박막을 적층시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 n+ 도핑한 폴리실리콘 박막을 적층시키는 단계는,상기 SiO2 박막의 하부에 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘 박막을 적층시키는 단계 후,상기 기판의 온도 600℃ 이상에서 열처리하여 상기 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘 박막을 n+ 도핑한 폴리실리콘 박막으로 재결정화를 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
19 19
청구항 11에 있어서, 상기 전하 선택형 에미터층을 형성하는 단계와 상기 전하 선택형 전계층을 형성하는 단계 후, 표면 재결합 저감을 위해 수소 플라즈마 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 50 미크론 초박형 실리콘 태양전지 사업화 미래 원천기술 개발