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NiTe2-x 화합물 타겟을 이용하여 투명 기판 상에 스퍼터링하는 단계;상기 기판 상에 NiTe2-x 그레인(grain)이 형성되는 단계;상기 그레인들이 연결되고 층상 결정구조로 적층되는 단계; 및화학적 액상 박리(Chemical exfoliation)를 이용하여 상기 NiTe2-x 최상부 층상 결정부터 박리함으로써 NiTe계 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 x는 -0
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제 1 항에 있어서,상기 NiTe계 박막은 P-3m1 그룹에 포함되고, 격자 상수 a, c가 NiTe2-x 금속 화합물 대비 10% 이내로 차이가 나는 상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 기판 상에 스퍼터링하는 것은 NiTe2-x 화합물 타겟을 이용하는 대신, Ni 타겟과 Te 타겟을 동시에 이용하여 코스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 NiTe계 박막은 10nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 NiTe계 박막은 400nm 내지 700nm의 파장 범위 내에서 평균 투과율이 80%이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 NiTe계 박막은 50μΩ·㎝ 이하의 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 화학적 액상 박리는 라우릴 피롤리돈(N-dodecyl-pyrrolidone), 벤조산벤질(Benzyl Benzoate), N-옥틸 피롤리돈(N-Octyl-pyrrolidone), N-비닐 피롤리디논(N-vinyl-Pyrrolidinone), 벤질 에터르(Benzyl Ether), 디메틸-이미다졸리디논(dimethyl-imidazolidinone), 사이클로헥사논(Cyclohexanone), 클로로벤젠(Chlorobenzene), 디메칠설폭사이드(Dimethylsulphoxide), 벤조나이트릴(Benzonitrile), 클로로포름(Chloroform), 브로모벤젠(Bromobenzene), N-메칠 피롤리디논(N-methyl-pyrrolidinone), 디메칠포름아미드(dimethylformamide), 사이클로헥실 피롤리돈(cyclohexyl pyrrolidone), 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide), 포름아미드(Formamide), N-메틸포름아미드(N-methylformamide), 이소프로판올(isopropanol), 메탄올(methanol), 및 아세톤(acetone)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 용매를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 화학적 액상 박리는 90분 내지 360분 동안 초음파분산(sonication)을 함으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링은 10-4torr 내지 10torr의 진공도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 기판은 유리 기판 또는 플렉서블한 투명 기판인 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법
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제 1 항 내지 제 10항 중 한 가지 이상 선택된 방법으로 제조된 전도성 기판
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