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나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법(METHOD FOR MANUFACTURING NANOPOROUS COBALT PHOSPHIDE THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2018004969
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면적이 현저히 증가될 수 있는 나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법을 제공한다. 이를 위한 본 발명의 방법은, 전해 증착에 의해 Co-P 박막을 형성하는 단계; 상기 Co-P 박막을 Co와 Co2P로 상분리하는 단계; 및 상기 상분리된 박막에서 Co만을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법을 제공한다.
Int. CL C25D 5/48 (2006.01.01) C25D 5/50 (2006.01.01) C25F 3/02 (2006.01.01) C25D 7/00 (2006.01.01) C25D 3/56 (2006.01.01) C25D 3/12 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) C25B 1/04 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170122569 (2017.09.22)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0039559 (2018.04.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160130457   |   2016.10.10
대한민국  |   1020160130459   |   2016.10.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 경기 성남시 분당구
2 문경훈 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0928150-30
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1134124-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0020872-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0219694-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0482263-21
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0482270-41
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0646455-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0942861-82
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0942849-33
11 등록결정서
Decision to grant		 2019.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0822502-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전해 증착에 의해 Co-P 박막을 형성하는 단계; 상기 Co-P 박막을 불활성 분위기에서 일정 온도까지 승온시키고 유지한 뒤 자연냉각함으로써 Co와 Co2P로 상분리하는 단계; 및 상기 상분리된 박막에서 습식 에칭에 의해 Co만을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 전해 증착을 위한 전해 용액의 조성이 0
4 4
청구항 1에 있어서,상기 전해 증착 전에 스트라이킹 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 전해 증착은 10mA/cm2의 전류 밀도에서 9,000~12,000초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 인화코발트 박막 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 습식 에칭은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 / 신재생에너지기술개발사업(RCMS) 변환 효율 20%달성을 위한 두께 20㎛급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 이종접합 태양전지 개발