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불순물이 남아있는 그래핀에 대해 전기화학 처리(Electrochemical treatment)를 실시하되, 전기화학적 방법으로 조절된, 산화환원 반응이 일어나지 않는 충전 전류 (Capacitance current) 흐름 영역 내의 전위를 그래핀에 인가하여 그래핀에 결함이 생기지 않으면서 그래핀 표면에 남아있는 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 전기화학 처리는 1분 내지 60분 이내에 처리하는 것이 특징인 그래핀 소자 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀은 기계적 박리법, 화학기상증착법 또는 에피택시법에 의해 성장된 그래핀인 것이 특징인 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제1 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물은, 폴리메틸메타크릴레이트 (Polymethylmethacrylate:PMMA), 폴리아마이드 (polyamide:PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (poly(butylenes terephtalate):PBT), 폴리카보네이트 (Polycarbonate:PC), 폴리에틸렌 (polyethylene:PE), 폴리옥시메틸렌 (poly(oxymethylene):POM), 폴리프로필렌 (polypropylene:PP), 폴리페닐에테르 (poly(phenylenether):PPE), 폴리스타이렌 (Polystylene:PS), 폴리설폰 (polysulfone:PSU), 액정성 고분자 (liquid crystal polymer:LCP), 폴리에테르에테르케톤 (poly(etheretherketone):PEEK), 폴리에테르이미드 (poly(etherimide):PEI), 폴리랙타이드 (polylactide:PLA), 폴리디메틸실록산 (poly(dimethylsiloxane:PDMS), 폴리락틱산(poly(lactic acid)(PLA)), poly(phthaldehyde) (PPA), 및 시클로올레핀코폴리머 (cycloolefin copolymer:COC), 포토리지스트(PR), 폴리(4-비닐피리딘)(poly(4-vinylpyridine) (P4VP)), 플루오로폴리머(fluoropolymer (Cytop)) 또는 이들의 공중합체 또는 혼합물 중에서 선택되는 고분자 또는 Au 또는 Cu, Ni, Co, Cr, Ag, Au, Al, Mg, Mn, Ir, Pt, Ru, Rh, Fe, W, Ta, Ti, U, V, Zr, 또는 이들의 화합물 또는 염화철(FeCl3), 질산철(Fe(NO3)3), 염화동(CuCl2), 암모늄퍼설페이트((NH4)2S2O8), 소듐퍼설페이트 (Na2S2O8), 과수황산물 또는 이들의 화합물 중에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀은 그래핀 FET, 그래핀 OLED, 그래핀 솔라셀(Solar cell), 그래핀 센서(Sensor), 또는 그래핀 에너지 소자 제작용인 것이 특징인 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제1항에 있어서, 전기화학 처리시 사용되는 액상 전해질은 수용성 또는 유기 용매 액체인 것을 특징으로 하는 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제6항에 있어서, 전기화학 처리시 사용되는 전해질 용액은 수용성 용액 또는 유기용매 용액, 아세토니트릴(acetonitrile (ACN)), 클로로포름(chloroform), 디메틸포름아미드(dimethylformamide (DMF)), N,N'-디메틸아세트아미드 (DMAc)(N,N'-dimethylacetamide (DMAc)), 디메틸술폭시드(dimethylsulphoxide (DMSO)), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone (NMP)), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran (THF)), 디클로로메탄(dichloromethane (MC)), 1,2-디클로로에탄(1,2-dichloroethane (DCE)), 1,2-디클로로벤젠 (1,2-dichlorobenzene (DCB)), 헥사메틸포스포아미드(hexamethylphosphoramide (HMPA)), γ-부티롤락톤(γ-butyrolactone (GBL)), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 (DMEU)(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMEU)), 또는 H2O, 메탄올(Methanol) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제7항에 있어서, 전기화학 처리시 사용되는 전해질 염은 수용성 용액 또는 유기용매에 잘 전해하는 염, 유기염 또는 무기염, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(tetrabutylammonium tetrafluoroborate (TBABF4)), 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(tetrabutylammonium hexafluorophosphate (TBAPF6)), 테트라에틸암모늄 퍼클로레이트(tetraethylaxnmonium perchlorate (TEAP)), 테트라부틸암모늄 퍼클로레이트(tetrabutylammonium perchlorate (TBAP)), 테트라헥실암모늄 퍼클로레이트(tetrahexylammonium perchlorate (THAP)), 테트라헵틸암모늄 퍼클로레이트(tetraheptylainmonium perchiorate (THpAP)), 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 그래핀 표면의 잔여 불순물을 제거하는 방법
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제1항에 있어서, 전기화학 처리시, 불순물을 포함하는 그래핀을 작업전극 WE로 하고 WE와 대향전극 CE 사이에 인가되는 전압은 3
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