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단결정 SiC 나노와이어 제조방법(Method of manufacturing high quality SiC nanowire)

  • 기술번호 : KST2018005148
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 탄소 또는 탄소화합물 기재상에 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 실리콘 박막이 형성된 기재를 열처리하여, 탄화규소 나노와이어를 제조하는 단계로 이루어진 탄화규소 나노와이어 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C30B 25/10 (2006.01.01) C30B 25/16 (2006.01.01) C30B 25/18 (2006.01.01) C30B 29/36 (2006.01.01) C30B 29/60 (2006.01.01) C01B 31/36 (2006.01.01)
CPC C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)C30B 25/10(2013.01)
출원번호/일자 1020160140840 (2016.10.27)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0046406 (2018.05.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최순목 대한민국 충남 천안시
2 김병근 대한민국 서울 금천구
3 김나경 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인오암 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1046524-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011688-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0811390-17
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0011583-61
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0068686-96
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0068687-31
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0019188-15
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0514097-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0870554-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0870550-31
12 등록결정서
Decision to grant
2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0659209-84
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 탄소 또는 탄소화합물 기재상에 실리콘을 증착하여 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및b) 상기 실리콘 박막이 형성된 기재를 0 초과 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 기재는 그라파이트, 그래핀, 카본블랙, 다이아몬드, 다이아몬드상카본(diamond like carbon; DLC), 플러렌(fullerene, C60), 탄소섬유, 탄소나노로드 및 탄소나노튜브(CNT) 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 기재는 탄화규소인 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 a) 단계시, 상기 박막의 두께는 100 nm 이하인 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 b) 단계시, 상기 열처리는 0
6 6
제 5항에 있어서,상기 탄화규소 나노와이어는 하기 반응식 1 내지 3 중에서 적어도 하나 이상을 만족하여 제조되는 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법: [반응식 1]SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)[반응식 2]SiO(g) + 2C(s) → SiC(s) + CO(g)[반응식 3]SiO(g) + 3CO(g) → SiC(s) + 2CO2(g)[상기 반응식 1 내지 3에서, s는 고상(solid), g는 기상(gas)을 의미한다
7 7
제 1항에 있어서,상기 b) 단계시, 상기 열처리는 1200 내지 1400 ℃에서 수행되는 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 열처리는 5 내지 30 시간 동안 수행되는 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 탄화규소 나노와이어의 평균 길이는 10 내지 100 μm인 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 탄화규소 나노와이어의 평균 직경은 30 내지 100 nm인 단결정 탄화규소 나노와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.