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실리콘-그래핀 복합체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 리튬 이온 전지(SILICON-GRAPHENE COMPOSITES, METHOD FOR PREPARING THE SAME AND LITHIUM ION BATTERY COMPRISING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018005217
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘; 및 상기 실리콘 상에 형성된 3차원 구조의 다공성 그래핀층을 포함하는 실리콘-그래핀 복합체 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이며, 또한, 상기 실리콘-그래핀 복합체를 포함하는 전극, 상기 전극을 포함하는 리튬 이온 전지에 관한 것이다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/13 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) H01M 2/10 (2006.01.01)
CPC H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01)
출원번호/일자 1020160131471 (2016.10.11)
출원인 재단법인대구경북과학기술원, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0039984 (2018.04.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유종성 대한민국 서울특별시 관악구
2 장 춘페이 중국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 *** (대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0984470-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2020.02.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2020-0142472-06
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0024518-66
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2020.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0170383-31
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2020.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0171002-30
7 보정요구서
Request for Amendment
2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0027718-16
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0027828-29
9 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0250280-92
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0281847-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
1 1
실리콘; 및 상기 실리콘 상에 형성된 3차원 구조의 다공성 그래핀층을 포함하는 실리콘-그래핀 복합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 그래핀층은 한 개 이상의 다수의 층으로 구성된 것을 특징으로 하는, 실리콘-그래핀 복합체
3 3
제1항에 있어서, 상기 그래핀층은 물질 이동을 위한 기공(pore) 및 채널을 구비하며, 상기 기공 및 채널은 다수의 그래핀 나노시트들이 서로 랜덤하게 연결됨으로써 형성된 것을 특징으로 하는, 실리콘-그래핀 복합체
4 4
제2항에 있어서, 상기 그래핀층의 두께는 10 ~ 50nm인, 실리콘-그래핀 복합체
5 5
제3항에 있어서, 상기 그래핀층은 탄성을 갖는 네트워크 구조를 가짐으로써 신축성 있게 변형이 가능한 것을 특징으로 하는, 실리콘-그래핀 복합체
6 6
제1항에 있어서, 상기 실리콘이 나노 입자 형태를 갖는 것인 실리콘-그래핀 복합체
7 7
제6항에 있어서, 상기 실리콘의 평균입경이 20nm 이상 200nm 이하인 실리콘-그래핀 복합체
8 8
제1항에 있어서, 상기 실리콘-그래핀 복합체는 상기 그래핀층이 실리콘을 둘러싸는 코어-쉘 구조를 한 것을 특징으로 하는 실리콘-그래핀 복합체
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 실리콘-그래핀 복합체를 포함하는 리튬 이온 전지용 음극
10 10
제9항에 있어서, 도전제 및 바인더 중에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것인 리튬 이온 전지용 음극
11 11
양극;제9항에 따른 음극;상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 분리막; 및상기 양극, 음극 및 분리막에 함침되어 있는 전해질을 포함하는 리튬 이온 전지
12 12
제11항의 리튬 이온 전지를 단위전지로 포함하는 전지 모듈
13 13
리튬 이온 전지의 음극에 포함되는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 실리콘-그래핀 복합체를 제조하는 방법으로서, 실리콘 입자를 니켈화합물을 포함한 다공성 쉘 내로 도입하여 Si-Ni 다공성 구조체를 합성하는 제1 단계; 상기 다공성 구조체에 탄소 공급원 기체를 공급하고 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2 단계; 및상기 그래핀 성장 후 니켈(Ni)을 제거하는 제3 단계를 포함하는 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 실리콘 입자의 평균입경이 20nm 이상 200nm 이하인 실리콘-그래핀 복합체
15 15
제13항에 있어서, 상기 제1 단계는 실리콘과 니켈화합물 및 산화제를 용매에 첨가하고 교반 및 분산시키는 단계를 포함하는 것인, 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 Si-Ni 다공성 구조체는 꽃모양의 구형인, 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 제2 단계는 화학적증착법(chemical vapor deposition)을 수행하는 단계를 포함하는 것인, 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 탄소 공급원 기체는 화학식 CnH(2n+2-2a)(여기서, n은 1 내지 10의 정수, a는 0, 1, 또는 2임)로 표시되는 화합물로부터 선택된 것인, 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 제2 단계에서 그래핀 성장을 위한 열처리가 500-900℃에서 수행되는 것인, 실리콘-그래핀 복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술연구원 글러벌후런티어 멀티스케일 에너지시스템 연구