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투명 기판 상에 상온에서 퓨어 티타늄막을 제1 시간동안 증착하되, 상기 퓨어 티타늄막이 증착될 때, 상기 투명 기판은 일정한 속도로 회전하고,상기 퓨어 티타늄막을 200℃ 내지 800℃ 에서 급속 열처리하여 루틸 나노 결정(rutile-nanocrystalline) 산화 티타늄막을 형성하고,상기 루틸 나노 결정 산화 티타늄막 상에 쇼트키 접합을 형성하는 구리막을 스퍼터링으로 형성하는 것을 포함하되,상기 루틸 나노 결정 산화 티타늄막은 제1 및 제2 밴드갭을 포함하는 듀얼 밴드갭을 가지고,상기 제1 밴드갭은 상기 제1 시간의 조절에 따라서 3
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제1 항에 있어서,상기 퓨어 티타늄 막을 형성하는 것은,300 내지 800초 동안 스퍼터링으로 상기 퓨어 티타늄 막을 형성하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 퓨어 티타늄막의 두께는 120nm 내지 205nm인 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 루틸 나노 결정 산화 티타늄막의 XRD spectrum은 (110) 회절 피크(diffraction peak), (101) 회절 피크 및 (211) 회절 피크를 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 시간은 350초 보다 긴 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 루틸 나노 결정 산화 티타늄막은 듀얼 밴드갭(dual bandgap)을 가지는 광전 소자 제조 방법
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투명 기판 상에 상온에서 Ti막을 제1 시간 동안 증착하고,상기 Ti막을 200℃ 내지 800℃ 에서 급속 열처리하여 루틸 TiO2막을 형성하고,상기 루틸 TiO2막 상에 쇼트키 접합을 형성하는 Cu막을 스퍼터링으로 형성하는 것을 포함하되,상기 루틸 TiO2막은 제1 및 제2 밴드갭을 포함하는 듀얼 밴드갭을 가지고,상기 제1 밴드갭은 상기 제1 시간의 조절에 따라서 조율되고,상기 제2 밴드갭은 상기 제1 밴드갭과 이격되어 상기 제1 밴드갭보다 작은 값을 가지고,상기 제2 밴드갭은 엑시톤에 의해서 전이되는 밴드갭인 광전 소자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 시간은 350초 보다 긴 광전 소자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 Cu막은 상온에서 형성되는 광전 소자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 Ti막을 증착하는 것은 아르곤 가스를 이용하는 광전 소자 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 밴드갭의 크기는 3
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