| 1 |
1
제 1 입력 신호에 따라 제 1 전송 라인을 구동하는 제 1 송신 구동부;제 2 입력 신호에 따라 제 2 전송 라인을 구동하는 제 2 송신 구동부;제 3 입력 신호에 따라 제 3 전송 라인을 구동하는 제 3 송신 구동부;상기 제 1 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 1 능동 인덕터;상기 제 2 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 2 능동 인덕터; 및상기 제 3 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 3 능동 인덕터;를 포함하는 송신 장치
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| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 신호 송신 시상기 제 1 송신 구동부는 상기 제 1 전송 라인을 구동하고, 상기 제 2 송신 구동부는 상기 제 2 전송 라인을 구동하며, 상기 제 3 송신 구동부는 상기 제 3 전송 라인의 입력단을 플로팅 상태로 하되,상기 제 3 능동 인덕터는 상기 제 3 전송 라인의 입력단을 일정한 전압으로 고정하는 송신 장치
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| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 제 1 송신 구동부는 제 31 전류를 소싱하고 상기 제 1 능동 인덕터는 제 32 전류를 싱크하고 상기 제 2 송신 구동부는 상기 제 31 전류를 싱크하고 상기 제 2 능동 인덕터는 상기 제 32 전류를 소싱하며, 상기 제 3 능동 인덕터는 그 내부에서 제 4 전류를 소비하는 송신 장치
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| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 제 4 전류는 상기 제 32 전류보다 작은 크기를 갖는 송신 장치
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| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 송신 구동부는전원과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 소스와 드레인이 연결된 제 11 PMOS 트랜지스터; 및 상기 제 1 송신 구동부의 출력단과 접지 사이에 드레인과 소스가 연결된 제 11 NMOS 트랜지스터를 포함하되, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터의 게이트는 제 11 입력 신호에 의해 제어되고 상기 제 11 NMOS 트랜지스터의 게이트는 제 12 입력 신호에 의해 제어되는 송신 장치
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| 6 |
6
청구항 5에 있어서, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터의 백 게이트는 제 11 벌크 제어 신호에 의해 제어되고, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터의 백 게이트는 제 12 벌크 제어 신호에 의해 제어되며, 상기 제 11 벌크 제어 신호는 상기 제 11 PMOS 트랜지스터의 턴온 저항을 제어하고 상기 제 12 벌크 제어 신호는 상기 제 11 NMOS 트랜지스터의 턴온 저항을 제어하는 송신 장치
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| 7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 제 11 벌크 제어 신호 및 상기 제 12 벌크 제어 신호를 생성하는 벌크 제어 신호 생성부를 더 포함하는 송신 장치
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| 8 |
8
청구항 5에 있어서, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 연결되는 제 11 저항과 상기 제 11 NMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 연결되는 제 12 저항을 더 포함하는 송신 장치
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9
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 능동 인덕터는전원에 소스가 연결된 제 41 PMOS 트랜지스터;상기 제 41 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 연결된 제 11 능동 인덕터;접지에 소스가 연결된 제 41 NMOS 트랜지스터; 및상기 제 41 NMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 연결된 제 12 능동 인덕터;를 포함하는 송신 장치
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| 10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 제 11 능동 인덕터는 상기 제 41 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 소스와 드레인이 연결된 제 42 PMOS 트랜지스터 및 상기 제 42 PMOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결된 제 41 저항을 포함하고, 상기 제 12 능동 인덕터는 상기 제 41 NMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제 1 송신 구동부의 출력단 사이에 소스와 드레인이 연결된 제 42 NMOS 트랜지스터 및 상기 제 42 NMOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결된 제 42 저항을 포함하는 송신 장치
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| 11 |
11
청구항 9에 있어서, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터가 턴온되고 상기 제 11 NMOS 트랜지스터가 턴오프되는 경우 상기 제 41 PMOS 트랜지스터가 턴오프되고 상기 제 41 NMOS 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터가 턴오프되고 상기 제 11 NMOS 트랜지스터가 턴온되는 경우 상기 제 41 PMOS 트랜지스터가 턴온되고 상기 제 41 NMOS 트랜지스터가 턴오프되며, 상기 제 11 PMOS 트랜지스터가 턴오프되고 상기 제 11 NMOS 트랜지스터가 턴오프되는 경우 상기 제 41 PMOS 트랜지스터가 턴온되고 상기 제 41 NMOS 트랜지스터가 턴온되는 송신 장치
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| 12 |
12
송신 장치, 수신 장치 및 상기 송신 장치와 상기 수신 장치를 연결하는 제 1 내지 제 3 전송 라인을 포함하되,상기 송신 장치는제 1 입력 신호에 따라 상기 제 1 전송 라인을 구동하는 제 1 송신 구동부;제 2 입력 신호에 따라 상기 제 2 전송 라인을 구동하는 제 2 송신 구동부;제 3 입력 신호에 따라 상기 제 3 전송 라인을 구동하는 제 3 송신 구동부;상기 제 1 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 1 능동 인덕터;상기 제 2 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 2 능동 인덕터; 및상기 제 3 송신 구동부의 출력단에 연결되는 제 3 능동 인덕터;를 포함하고,상기 수신 장치는상기 제 1 전송 라인의 출력단과 공통 노드 사이에 연결된 제 1 종단 저항;상기 제 2 전송 라인의 출력단과 상기 공통 노드 사이에 연결된 제 2 종단 저항; 및상기 제 3 전송 라인의 출력단과 상기 공통 노드 사이에 연결된 제 3 종단 저항을 포함하는 시스템
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13
청구항 12에 있어서, 신호 송신 시상기 제 1 송신 구동부는 상기 제 1 전송 라인을 구동하고, 상기 제 2 송신 구동부는 상기 제 2 전송 라인을 구동하며, 상기 제 3 송신 구동부는 상기 제 3 전송 라인의 입력단을 플로팅 상태로 하되,상기 제 3 능동 인덕터는 상기 제 3 전송 라인의 입력단을 일정한 전압으로 고정하는 시스템
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14
청구항 13에 있어서,상기 제 1 송신 구동부는 제 31 전류를 소싱하고 상기 제 1 능동 인덕터는 제 32 전류를 싱크하고 상기 제 2 송신 구동부는 상기 제 31 전류를 싱크하고 상기 제 2 능동 인덕터는 상기 제 32 전류를 소싱하며, 상기 제 3 능동 인덕터는 그 내부에서 제 4 전류를 소비하는 시스템
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15
청구항 14에 있어서,상기 제 4 전류는 상기 제 32 전류보다 작은 크기를 갖는 시스템
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16
청구항 14에 있어서, 상기 제 1 전송 라인의 출력 전압은 상기 제 3 전송 라인의 출력 전압보다 높고 상기 제 2 전송 라인의 출력 전압은 상기 제 3 전송 라인의 출력 전압보다 낮은 시스템
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17
청구항 16에 있어서, 상기 제 3 전송 라인의 출력 전압은 전원 전압의 1/2인 시스템
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18
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 전송 라인의 출력 전압과 상기 제 2 전송 라인의 출력 전압을 비교하여 출력하는 제 1 수신 구동부;상기 제 2 전송 라인의 출력 전압과 상기 제 3 전송 라인의 출력 전압을 비교하여 출력하는 제 2 수신 구동부; 및상기 제 3 전송 라인의 출력 전압과 상기 제 1 전송 라인의 출력 전압을 비교하여 출력하는 제 3 수신 구동부;를 더 포함하는 시스템
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19
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 종단 저항은 상기 제 1 전송 라인의 특성 임피던스보다 더 큰 임피던스를 갖는 시스템
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20
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 송신 구동부의 출력 임피던스는 상기 제 1 전송 라인의 특성 임피던스보다 더 큰 시스템
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