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하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물
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제 1 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 상전이 광 이성질체 화합물
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3
다수의 화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에, 상기 다수의 화소영역 각각에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 사이에 위치하는 뱅크와;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층과;상기 다수의 화소영역 모두를 덮고 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극과;상기 제 2 전극 상에 위치하며 유리상 부분과 고무상 부분을 포함하는 상전이 광 이성질체층과;상기 유리상 부분 상에 위치하는 보조 전극을 포함하고,상기 보조 전극은 상기 뱅크에 대응하는 발광다이오드 표시장치
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다수의 화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에, 상기 다수의 화소영역 각각에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층과;상기 다수의 화소영역 모두를 덮고 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극과;상기 제 2 전극 상에 위치하며 유리상 부분과 고무상 부분을 포함하는 상전이 광 이성질체층과;상기 유리상 부분 상에 위치하는 보조 전극을 포함하고,상기 유리상 부분은 상기 화소영역의 경계에 대응하는 발광다이오드 표시장치
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5 |
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체층은, 하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물을 포함하는 발광다이오드 표시장치
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6
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체층은 상기 제 2 전극 및 상기 보조 전극보다 작은 두께를 갖는 발광다이오드 표시장치
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7 |
7
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 보조 전극을 덮는 인캡슐레이션 필름을 더 포함하고,상기 인캡슐레이션 필름의 제 1 부분은 상기 보조 전극과 접촉하고 상기 인캡슐레이션 필름의 제 2 부분은 상기 상전이 광 이성질체층과 접촉하는 발광다이오드 표시장치
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8 |
8
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 보조 전극 상부에 위치하는 인캡슐레이션 기판과;상기 보조 전극과 상기 인캡슐레이션 기판 사이에 위치하는 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층의 제 1 부분은 상기 보조 전극과 접촉하고 상기 접착층의 제 2 부분은 상기 상전이 광 이성질체층과 접촉하는 발광다이오드 표시장치
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9
상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 뱅크를 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계와;상기 뱅크 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 전극 상에 상전이 광 이성질체층을 형성하는 단계와;상기 뱅크에 대응하여 상기 상전이 광 이성질체층에 자외선을 조사하는 단계와;상기 상전이 광 이성질체층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 뱅크에 대응하는 보조 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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10
상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 가장자리를 덮고 상기 제 1 전극의 중앙을 노출하는 뱅크를 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 중앙 상에 발광층을 형성하는 단계와;상기 뱅크 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 전극 상에 상전이 광 이성질체층을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 중앙에 대응하여 상기 상전이 광 이성질체층에 가시광선을 조사하는 단계와;상기 상전이 광 이성질체층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 뱅크에 대응하는 보조 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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제 9 항 또는 제 10항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체층은, 하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물로 이루어지는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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12
제 9 항에 있어서,상기 자외선은 365~400nm의 파장을 갖는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 가시광선은 500~700nm의 파장을 갖는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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