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상전이 광 이성질체 화합물, 발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법(Phase-transition optical isomer compound, Light emitting diode display device and Method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2018005268
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상전이 광 이성질체 화합물을 제공하며, 상전이 광 이성질체층에 선택적 광 조사 공정을 진행한 후 도전성 물질을 증착함으로써, 마스크 공정 없이 금속 패턴의 형성이 가능하다.따라서, 마스크 공정 없이 발광다이오드의 제 2 전극의 일부에 보조 전극을 형성할 수 있으며, 이에 의한 제 2 전극의 전압 강하에 의한 발광다이오드 표시장치의 표시 품질 저하 문제를 방지할 수 있다.
Int. CL C07F 5/02 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01) C07F 5/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160139369 (2016.10.25)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0045361 (2018.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전창우 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 심은지 대한민국 서울특별시 서초구
3 최수혁 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-1038352-69
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번호 청구항
1 1
하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 상전이 광 이성질체 화합물
3 3
다수의 화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에, 상기 다수의 화소영역 각각에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 사이에 위치하는 뱅크와;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층과;상기 다수의 화소영역 모두를 덮고 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극과;상기 제 2 전극 상에 위치하며 유리상 부분과 고무상 부분을 포함하는 상전이 광 이성질체층과;상기 유리상 부분 상에 위치하는 보조 전극을 포함하고,상기 보조 전극은 상기 뱅크에 대응하는 발광다이오드 표시장치
4 4
다수의 화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에, 상기 다수의 화소영역 각각에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층과;상기 다수의 화소영역 모두를 덮고 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극과;상기 제 2 전극 상에 위치하며 유리상 부분과 고무상 부분을 포함하는 상전이 광 이성질체층과;상기 유리상 부분 상에 위치하는 보조 전극을 포함하고,상기 유리상 부분은 상기 화소영역의 경계에 대응하는 발광다이오드 표시장치
5 5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체층은, 하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물을 포함하는 발광다이오드 표시장치
6 6
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체층은 상기 제 2 전극 및 상기 보조 전극보다 작은 두께를 갖는 발광다이오드 표시장치
7 7
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 보조 전극을 덮는 인캡슐레이션 필름을 더 포함하고,상기 인캡슐레이션 필름의 제 1 부분은 상기 보조 전극과 접촉하고 상기 인캡슐레이션 필름의 제 2 부분은 상기 상전이 광 이성질체층과 접촉하는 발광다이오드 표시장치
8 8
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 보조 전극 상부에 위치하는 인캡슐레이션 기판과;상기 보조 전극과 상기 인캡슐레이션 기판 사이에 위치하는 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층의 제 1 부분은 상기 보조 전극과 접촉하고 상기 접착층의 제 2 부분은 상기 상전이 광 이성질체층과 접촉하는 발광다이오드 표시장치
9 9
상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 뱅크를 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계와;상기 뱅크 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 전극 상에 상전이 광 이성질체층을 형성하는 단계와;상기 뱅크에 대응하여 상기 상전이 광 이성질체층에 자외선을 조사하는 단계와;상기 상전이 광 이성질체층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 뱅크에 대응하는 보조 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
10 10
상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 가장자리를 덮고 상기 제 1 전극의 중앙을 노출하는 뱅크를 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 중앙 상에 발광층을 형성하는 단계와;상기 뱅크 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 전극 상에 상전이 광 이성질체층을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 중앙에 대응하여 상기 상전이 광 이성질체층에 가시광선을 조사하는 단계와;상기 상전이 광 이성질체층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 뱅크에 대응하는 보조 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
11 11
제 9 항 또는 제 10항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체층은, 하기 화학식으로 표시되고, L1, L2 각각은 아릴(aryl) 또는 헤테로아릴(heteroaryl)이며, m 및 n 각각은 0 또는 1이고, X1 내지 X6 각각은 독립적으로 수소 또는 할로겐 원소로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물로 이루어지는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 자외선은 365~400nm의 파장을 갖는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 가시광선은 500~700nm의 파장을 갖는 발광다이오드 표시장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.