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용매, 인듐을 포함하는 화합물 및 옥타데실포스폰산을 포함하는 혼합 용액을 제1 온도로 가열하는 단계;상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계;상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액을 제3 온도로 가열하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 인듐을 포함하는 화합물은 3가 인듐을 포함하는 화합물인 나노 구조물의 제조 방법
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제2항에서,상기 3가 인듐을 포함하는 화합물은 인듐 아세테이트 및 인듐 클로라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 용매는 끓는점이 섭씨 250도 내지 350도의 범위를 갖는 탄화수소 화합물을 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 포스핀 전구체는 트리스(트라이메틸실릴) 포스핀 (P(SiCH3)3을 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계에서,상기 혼합 용액 내의 In:옥타데실포스폰산:P의 몰비가 1:3~5:4~6인 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 혼합 용액을 상기 제1 온도로 가열하는 단계에서, 인듐-옥타데실포스폰산 착화합물이 형성되는 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계에서,인화인듐 핵이 형성되는 나노 구조물의 제조 방법
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제8항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계에서,상기 인듐-옥타데실포스폰산 착화합물을 템플릿으로 하여 상기 인화인듐 핵이 성장하는 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 100도 내지 140도이고,상기 제3 온도는 섭씨 280도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법
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제10항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 50분 내지 70분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법
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제10항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 5 내지 30인 나노 막대인 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제3 온도는 섭씨 280도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법
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제13항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액을 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 20분 내지 40분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법
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제13항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 40 내지 200인 나노 와이어인 나노 구조물의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 180도 내지 220도이고,상기 제3 온도는 섭씨 180도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법
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제16항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 10초 내지 7분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법
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제16항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 40 내지 200인 나노 와이어가 10개 이상 뭉쳐진 나노 와이어 다발인 나노 구조물의 제조 방법
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서로 뭉친 복수개의 인화인듐 나노 와이어를 포함하는 나노 와이어 다발
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제19항에서,상기 나노 와이어 다발의 너비는 약 30 내지 200 nm인 나노 와이어 다발
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