맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

광소자 및 이의 제조방법(PHOTONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018005299
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 시드층; 상기 시드층 상의 적어도 일부분에 형성된 n-형 반도체층; 및 상기 n-형 반도체층 상에 형성된 활성층; 을 포함하고, 상기 시드층은, 상기 기판 상에 형성된 n-형 시드 베이스층 및 상기 n-형 시드 베이스층 상에 형성된 n-형 시드 구조체; 를 포함하는 것인, 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체층의 결함이 최소화되고, 발광 효율이 향상된 광소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020160132393 (2016.10.12)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0040442 (2018.04.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.12)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김동준 대한민국 서울특별시 동작구
3 연규재 대한민국 서울특별시 양천구
4 정소애 대한민국 서울특별시 서초구
5 강수현 대한민국 경기도 의왕시 부곡복지관길 *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0990261-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0137424-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0647457-29
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1130717-02
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1249267-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0048070-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0163715-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0163716-29
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0442642-18
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0761197-93
12 법정기간연장승인서
 2018.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0122399-36
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0869164-96
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0869165-31
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0672986-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 시드층; 상기 시드층 상의 적어도 일부분에 형성된 n-형 반도체층; 및 상기 n-형 반도체층 상에 형성된 활성층; 을 포함하고,상기 시드층은, 상기 기판 상에 형성된 n-형 시드 베이스층; 및 상기 n-형 시드 베이스층 상에 형성된 n-형 시드 구조체; 를 포함하는 것인, 광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 n-형 시드 베이스층 및 n-형 시드 구조체는 서로 동일한 n-형 산화물반도체를 포함하고, 상기 n-형 반도체층은, 상기 n-형 시드 베이스층 및 n-형 시드 구조체와 동일하거나 또는 상이한 반도체를 포함하며, 상기 활성층은, 양자우물, 양자점 또는 이 둘을 포함하고,상기 활성층은, 단층 또는 복수층인 것인, 광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 n-형 시드 구조체는, 7 um 이하의 높이를 가지며,상기 n-형 시드 구조체는, 측면에 빗면이 형성된 구조체이며,상기 빗면은, 상기 n-형 시드 베이스층과 연결되고,상기 n-형 시드 구조체는, 빗면을 갖는 로드, 다각뿔, 상부 부분이 잘린 다각뿔, 및 빗면을 갖는 필름 형상으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 n-형 반도체층은, 상기 n-형 시드 구조체를 둘러싸고, 결함(defect)을 포함하지 않는 것인, 광소자
4 4
기판을 준비하는 단계;시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층의 적어도 일부분에 n-형 반도체층을 성장시키는 단계; 및상기 n-형 반도체층 상에 활성층을 성장시키는 단계; 를 포함하고,상기 시드층을 형성하는 단계는:상기 기판 상에 n-형 시드 베이스층을 성장시키는 단계;상기 n-형 시드 베이스층 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 이용하여 n-형 시드 베이스층의 선택적 영역에 n-형 시드 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 리프트-오프하는 단계; 를 포함하는 것인, 광소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 포토레지스트 마스크 또는 콜로이달 마스크를 이용하고, 상기 n-형 시드 구조체를 형성하는 단계는, 상기 n-형 시드 베이스층 상에 증착 공정으로 n-형 시드 구조체를 성장시키거나 또는 습식 공정 또는 수열합성공법으로 n-형 시드 구조체를 형성하는 것인, 광소자의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 n-형 시드 구조체를 형성하는 단계는, 상기 n-형 시드 베이스층을 식각하여 n-형 시드 구조체를 형성하고,상기 n-형 시드 구조체는, 상기 n-형 시드 베이스층과 연결된 빗면을 갖는 것인, 광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술대학교 산학협력단 산업현장핵심기술수시개발사업(시범형 기술개발) 제조/공정비용을 낮출 수 있는 저차원 나노구조 기반 380nm급 자외선 나노에미터 개발