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적층구조를 갖는 투명전극용 메시 및 그 제조방법(Mesh with modified stacked-structure for transparent electrode and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2018005359
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라스틱 및 유연 기판 위에 적용 가능한 투명전극용 산화물-금속-산화물 적층(Oxide-Metal-Oxide, OMO) 구조를 가지는 투명전극용 메시 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 기판 위에 스핀코팅법으로 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 층에 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트층 위에 스퍼터링으로 하부 산화물층을 형성하는 단계; 상기 하부 산화물층 위에 스퍼터링으로 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 위에 스퍼터링으로 상부 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 상부 산화물층이 형성된 기판을 리프트 오프 방식으로 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극용 메시 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 투명전극용 메시를 제공함으로써, 종래기술에 따른 산화인듐주석 투명 전극에 비해 전기적 특성과 기계적 유연성 및 가시광선 영역에서의 투명성을 향상시킨 메쉬 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) C23C 14/04 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160140155 (2016.10.26)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0045606 (2018.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1042609-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011175-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0738956-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1291300-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1291432-71
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0239154-21
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0536582-46
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0536374-56
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0729243-02
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라스틱 및 유연 기판 위에 적용 가능한 투명전극용 산화물-금속-산화물(Oxide-Metal-Oxide, OMO) 적층구조를 가지는 메시의 제조방법에 있어서,상기 기판 위에 스핀코팅법으로 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 층에 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 포토레지스트층 위에 스퍼터링으로 하부 산화물층을 형성하는 단계;상기 하부 산화물층 위에 스퍼터링으로 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 위에 스퍼터링으로 상부 산화물층을 형성하는 단계;상기 상부 산화물층이 형성된 기판을 리프트 오프 방식으로 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극용 메시 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 상부 산화물층 및 하부 산화물층은, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 열증착(thermal deposition) 공정, 전자빔증착(electron beam deposition) 공정, 인쇄(printing) 공정, 습식 용액(wet solution) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속층은, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 열증착(thermal deposition) 공정, 전자빔증착(electron beam deposition) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 포토레지스트를 제거한 후,산화물-금속-산화물(Oxide-Metal-Oxide, OMO)구조를 갖는 메시를 50-900℃로 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시 제조방법
5 5
플라스틱 및 유연 기판 위에 적용 가능한 투명전극용 메시에 있어서,상기 기판 위에 상부 산화물층, 금속층 및 하부 산화물층의 적층구조를 형성하며,상기 상부 산화물층 및 하부 산화물층은 산화물 반도체로서 실리콘 산화인듐아연(Si-In-ZnO, SIZO) 박막으로 이루어지고,상기 SIZO박막에 포함된 실리콘의 함량은 0
6 6
제 5항에 있어서, 상기 기판은,폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(biaxially oriented PS, BOPS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지, 유리 또는 강화유리인 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시
7 7
제 5항에 있어서, 상부 산화물층 및 하부 산화물층은,10-1000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시
8 8
제 5항에 있어서, 상기 금속층은, 10-200nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시
9 9
제 5항에 있어서, 상기 투명전극용 메시의 선 폭이 1-10㎛인 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시
10 10
제 5항에 있어서, 상기 금속층은, 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 박막 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전극용 메시
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.