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기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부; 및 드레인 전극부;를 포함하고,상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되되, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되며, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 서로 이격하여 대칭으로 병렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되되, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하도록 서로 이격된 공간에 삽입되어 헤어콤패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,규소(Si), 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphtalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌 술폰산염(Polyethylene sulfonate), 아릴라이트(Arylite), 폴리이미드(Polyimide), 폴리노르보넨(Polynorbonene) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은,알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 허용 누설전류의 범위는 10-14 - 10-10 A인 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 드레인 전극의 바이어스는 10-4 - 1V 범위의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0
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