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금속 전구체 및 유기용매를 혼합하고, 유기실란계 화합물을 첨가하며 졸-겔 반응을 유도하여 금속-필로실리케이트를 제조하는 단계(단계 1); 및상기 제조된 금속-필로실리케이트를 질소, 아르곤 및 수소로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 기체 분위기에서 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는, 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은,주석(Sn), 게르마늄(Ge), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 알루미늄(Al), 인듐(In), 세륨(Ce), 티타늄(Ti) 및 실리콘(Si)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 졸-겔 반응은,상기 유기실란계 화합물 첨가 후 염기성 용액을 첨가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 금속 전구체는,금속 염화물(metal chloride), 금속 수산화물(metal hydroxide), 금속 황산화물(metal sulfate), 금속 질산화물(metal nitrate) 및 금속 아세테이트(metal acetate)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 유기용매는,에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 벤젠, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드 및 디메틸설폭시드로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 유기실란계 화합물은,3-머캅토프로필(트리메톡시실란)(MTES;(3-mercaptopropyl)trimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTS;3-aminopropyltriethoxysilane), 테트라에틸오소실리케이트(TEOS;tetraethylorthosilicate)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 열처리는,300 ℃ 내지 1000 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 열처리는,1 시간 내지 9 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 금속-필로실리케이트 전극 제조방법
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제1항의 방법으로 제조되어,팔면체 층상 결정구조의 금속; 및상기 금속의 상단 및 하단에 형성된 사면체 층상 결정구조의 실리카;를 포함하되, 샌드위치 형상이고,금속 및 실리콘 중량비가 2 내지 4 : 1인 것을 특징으로 하는, 금속-필로실리케이트 전극
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제9항의 금속-필로실리케이트 전극을 포함하는 이차전지
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