요약 | 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 제공되는 베타 셀 다이오드 및 포토 셀 다이오드를 갖는 전지부, 상기 전지부에서 생성된 신호들 중 하나를 선택하여 증폭하는 회로부, 및 상기 반도체 기판에 제공되고, 상기 회로부에 의해 증폭된 신호를 저장하는 저장부를 포함하는 하이브리드 베타 전지를 제공하되, 상기 베타 셀 다이오드는 상기 반도체 기판의 트렌치 내에 제공되고, 상기 반도체 기판과 P-N 접합을 형성하는 제 2 도전형의 전극을 포함하고, 상기 회로부는 상기 반도체 기판 내에 배치되는 소스/드레인들을 갖는 트랜지스터를 포함할 수 있다. |
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Int. CL | G21H 1/04 (2006.01.01) H01L 31/10 (2006.01.01) |
CPC | G21H 1/04(2013.01) G21H 1/04(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020160145392 (2016.11.02) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2018-0048163 (2018.05.10) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |