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반도체 소자 접합구조 및 접합방법(JOINT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND BONDING METHOD)

  • 기술번호 : KST2018005512
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 접합구조 및 접합방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 소자 접합방법은 제1접합대상물의 표면에 제1금속 층 및 제2금속 층을 형성하는 제1접합대상물 표면처리단계, 제2접합대상물의 표면에 제1금속 층 및 제2금속 층을 형성하는 제2접합대상물 표면처리단계, 상기 제1접합대상물 및 상기 제2접합대상물의 제2금속 층 사이에 제1금속 포일을 배치하는 제1금속 포일배치단계 및 상기 제1접합대상물 및 상기 제2접합대상물의 접합면에 제1금속 및 제2금속의 금속간 화합물이 생성되도록 가압 및 용융시키는 본딩단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020160143586 (2016.10.31)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0047476 (2018.05.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤정원 대한민국 충남 천안시 서북구
2 고용호 대한민국 인천광역시 연수구
3 방정환 대한민국 인천광역시 연수구
4 이창우 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1062442-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0033977-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0166529-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0446780-46
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0566916-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0673720-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0673697-12
10 등록결정서
Decision to grant
2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0661457-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1접합대상물의 표면에 제1금속 층 및 제2금속 층을 형성하는 제1접합대상물 표면처리단계;제2접합대상물의 표면에 제1금속 층 및 제2금속 층을 형성하는 제2접합대상물 표면처리단계;상기 제1접합대상물 및 상기 제2접합대상물의 제2금속 층 사이에 제2금속 막이 형성된 제1금속 포일을 배치하는 제1금속 포일배치단계; 및상기 제1접합대상물의 상기 제1금속 층과 상기 제2금속 층의 접합면, 상기 제2접합대상물의 상기 제1금속 층과 상기 제2금속 층의 접합면 및 상기 제1금속 포일과 상기 제2금속막의 접합면에 제1금속 및 제2금속의 금속간 화합물이 생성되도록 가압 및 용융시키는 본딩단계;를 포함하고,상기 제1금속은 Cu이고, 상기 제2금속은 Sn인 반도체 소자 접합방법
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제1항에 있어서,상기 제1접합대상물 표면처리단계 및 상기 제2접합대상물 표면처리단계 중 적어도 하나의 단계에서 상기 제2금속 층은 전기도금으로 형성되는 반도체 소자 접합방법
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표면에 제1금속 층 및 제2금속 층이 순차적으로 형성된 제1접합대상물;표면에 제1금속 층 및 제2금속 층이 순차적으로 형성된 제2접합대상물; 및상기 제1접합대상물 및 상기 제2접합대상물의 제2금속 층 사이에 배치되고, 적어도 일면에 제2금속 막이 형성되는 제1금속 포일;을 포함하고,상기 제1금속은 Cu이고, 제2금속은 Sn인 반도체 소자 접합구조
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.