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가스감지센서(Sensor for detecting gas)

  • 기술번호 : KST2018005529
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스감지센서에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판과, 기판 상에 마련된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 마련된 절연층과, 절연층 상에 각각 마련된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 마련된 n-type 채널, 및 n-type 채널 상에 마련되고, 타겟 가스 분자의 진동 에너지와 공명이 일어날 수 있는 전자 전이 에너지를 갖도록 마련된 양자점층을 포함하는 가스감지센서가 제공된다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170145147 (2017.11.02)
출원인 주식회사 엘지화학, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2126710-0000 (2020.06.19)
공개번호/일자 10-2018-0048417 (2018.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20200625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160144843   |   2016.11.02
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정광섭 서울특별시 성동구
2 신항범 대전광역시 유성구
3 최동선 경기도 성남시 분당구
4 윤빛나 서울특별시 동대문구
5 정주연 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1087518-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0875946-79
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0889616-71
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0137521-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0137520-82
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0266386-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 상에 마련된 게이트 전극;게이트 전극 상에 마련된 절연층;절연층 상에 각각 마련된 소스 전극 및 드레인 전극;소스 전극과 드레인 전극 사이에 마련된 n-type 채널; 및n-type 채널 상에 마련되고, 타겟 가스 분자의 진동 에너지와 공명이 일어날 수 있는 전자 전이 에너지를 갖도록 마련된 양자점층을 포함하며,양자점층과 타겟 가스 분자의 전자-진동 에너지(electronic vibrational) 전달에 따른 양자점층의 전위가 변하게 되면, n-type 채널의 전류변화로 변환되는 가스감지센서
2 2
제 1 항에 있어서,양자점은 콜로이달 양자점인 가스감지센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 가스감지센서
4 4
제 3 항에 있어서,상기 양자점은, AuS, AuSe, AuTe, AgS, AgSe, AgTe, AgO, CuS, CuSe, CuTe, CuO, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, AuSeS, AuSeTe, AuSTe, AgSeS, AgSeTe, AgSTe, CuSeS, CuSeTe, CuSTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, AuAgS, AuAgSe, AuAgTe, AuCuS, AuCuSe, AuCuTe, AuZnS, AuZnSe, AuZnTe, AuCdS, AuCdSe, AuCdTe, AuHgS, AuHgSe, AuHgTe, AgZnS, AgZnSe, AgZnTe, AgCuS, AgCuSe, AgCuTe, AgCdS, AgCdSe, AgCdTe, AgHgS, AgHgSe, AgHgTe, CuZnS, CuZnSe, CuZnTe, CuCdS, CuCdSe, CuCdTe, CuHgS, CuHgSe, CuHgTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC, 및 SiGe로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 가스감지센서
5 5
제 1 항에 있어서,양자점은 리간드 치환된 양자점인 가스감지센서
6 6
제 5 항에 있어서,양자점은 유기 리간드 및 무기 리간드 중 적어도 하나의 리간드로 치환된 양자점인 가스감지센서
7 7
제 1 항에 있어서,상기 n-type 채널은 IGZO, ZnO, ZTO, IZO, IHZO, AlN, InN, GaN 및 InGaN으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 n-type 물질로 이루어진 가스감지센서
8 8
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1 CN109906376 CN 중국 FAMILY
2 EP03537140 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP32502484 JP 일본 FAMILY
4 US10768137 US 미국 FAMILY
5 US20190257784 US 미국 FAMILY
6 WO2018084602 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109906376 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3537140 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP3537140 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2020502484 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2019257784 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교산학협력단 신진연구자지원신진연구 콜로이드 양자점의 전도띠 내 및 원자가띠 내의 띠내전이를 통한 중／장파장 적외선 광원 생산 및 광전자적 응용