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테라헤르츠파를 생성하는 테라헤르츠파 생성부;상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파를 이용하여 테라헤르츠파 베셀빔을 생성하는 베셀빔 형성부;상기 테라헤르츠파 베셀빔을 이용하여 링(ring) 빔을 형성하고, 형성된 링(ring) 빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 링빔 형성부; 상기 검사 대상 물체로부터 생성된 산란광을 검출하는 산란광 검출부; 및상기 검사 대상 물체를 투과한 링빔을 검출하는 링빔 검출부를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 링빔 형성부는,링(ring) 빔을 형성하고, 형성된 링(ring) 빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 제 1 렌즈를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 2 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 제 1 렌즈의 내부에 구비되고, 상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광을 검출하는 반사 산란광 검출부를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 3 항에 있어서,상기 반사 산란광 검출부는,상기 제 1 렌즈로부터 출사되는 링빔의 내부에 구비되는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 2 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 검사 대상 물체로부터 투과되는 산란광을 검출하는 투과 산란광 검출부를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 5 항에 있어서,상기 투과 산란광 검출부는,상기 제 1 렌즈로부터 입사되는 링빔의 내부에 배치되는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광의 경로를 변경하는 경로 변경부를 포함하고,상기 반사 산란광 검출부는,상기 경로 변경부로부터 입사되는 산란광을 검출하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 2 항에 있어서,상기 링빔 형성부는,상기 베셀빔 형성부로부터 입사되는 테라헤르츠파 베셀빔의 각도를 작게 변경하여 상기 제 1 렌즈로 입사시키는 제 2 렌즈를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 8 항에 있어서,상기 베셀빔 형성부는,상기 테라헤르츠파 베셀빔의 직경이 상기 테라헤르츠파 생성부에서 생성된 테라헤르츠파의 파장보다 작게 형성되는 꼭지각을 갖는 제 1 엑시콘 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 렌즈는,상기 검사 대상 물체를 기준으로 상기 제 1 엑시콘 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 2 엑시콘 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 10 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 렌즈는,상기 제 1 엑시콘 렌즈과 동일한 크기의 꼭지각을 갖는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 2 항에 있어서,상기 테라헤르츠 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경시켜 상기 베셀빔 형성부로 입사시키는 각도 변경부를 더 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 12 항에 있어서,상기 각도 변경부는,상기 테라헤르츠 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경시키는 제 1 볼록 렌즈이고,상기 제 1 렌즈는,상기 검사 대상 물체를 기준으로 상기 제 1 볼록 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 2 볼록 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,상기 제 2 엑시콘 렌즈와 동일한 모양을 가지며, 광축에 수직한 축을 기준으로 상기 제 2 엑시콘 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 3 엑시콘 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 렌즈는,상기 테라헤르츠파 베셀빔이 상기 검사 대상 물체를 투과하면서 발산되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경하는 제 3 볼록 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,광축에 수직한 축을 기준으로 상기 제 3 볼록 렌즈에 대칭되게 배치되는 제 4 볼록 렌즈인, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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17
테라헤르츠파 베셀빔을 이용하여 링(ring) 빔을 형성하고, 형성된 링(ring) 빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 링빔 형성부; 및상기 검사 대상 물체로부터 생성된 산란광을 검출하는 산란광 검출부를 포함하는, 산란광 검출모듈
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제 17 항에 있어서,상기 링빔 형성부는,링(ring) 빔을 형성하고, 형성된 링(ring) 빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 제 1 렌즈를 포함하는, 산란광 검출모듈
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제 18 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 제 1 렌즈로부터 출사되는 링빔의 내부에 구비되고, 상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광을 검출하는 반사 산란광 검출부를 포함하는, 산란광 검출모듈
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20
제 18 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 제 1 렌즈로부터 입사되는 링빔의 내부에 배치되고, 상기 검사 대상 물체로부터 투과되는 산란광을 검출하는 투과 산란광 검출부를 포함하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 18 항에 있어서,상기 제 1 렌즈는,상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광의 경로를 변경하는 경로 변경부를 포함하고,상기 반사 산란광 검출부는,상기 경로 변경부로부터 입사되는 산란광을 검출하는, 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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