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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들을 포함하는 P 형 산화 아연층;상기 P 형 산화 아연층 상에 형성되어 에피택셜 계면(epitaxial interface)를 갖는 동종 접합을 형성하는 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층; 및상기 N 형 산화 아연층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하며상기 나노 디스크들은 0
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제 1 항에 있어서,상기 나노 디스크들은 200 nm 내지 800 nm의 두께 및 300 nm 내지 1 ㎛의 지름을 갖는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 디스크들은 [0002] 방향을 따라 성장된 결정 구조를 갖는 발광 다이오드
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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 아연층;상기 P 형 산화 아연층 상에 형성되어 에피택셜 계면(epitaxial interface)를 갖는 동종 접합을 형성하는 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층; 및상기 N 형 산화 아연층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하며,상기 나노 로드들은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 디스크들은 자외선(UV) 영역 중 350 nm 내지 420 nm에서 NBE(near-band-edge emission) 특성을 가지며, 가시광선 영역 중 450 nm 내지 750 nm에서 상대적으로 상기 NBE보다 약한 DLE(deep-level emission) 특성을 갖는 광 발광(photoluminescence) 스펙트럼을 갖는 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 나노 로드들은 1 ㎛ 내지 4 ㎛의 길이 및 100 nm 내지 500 nm의 두께를 갖는 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서, 상기 나노 로드들은 [0002] 방향을 따라 성장된 결정 구조를 갖는 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서, 상기 나노 로드들은 자외선(UV) 영역 중 350 nm 내지 420 nm에서 NBE(near-band-edge emission) 특성을 가지며, 가시광선 영역 중 450 nm 내지 750 nm에서 상대적으로 상기 NBE보다 강한 DLE(deep-level emission) 특성을 갖는 광 발광(photoluminescence) 스펙트럼을 갖는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 P 형 산화 아연층의 상기 불순물은 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P), 비스무트(Bi) 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 불순물의 원자 농도는 아연의 원자 대비 0
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제 1 항에 있어서, 상기 P 형 산화 아연층이 상기 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들을 포함하는 경우, 상기 나노 디스크들은 상기 산화 아연의 나노 로드들의 성장을 위한 템플릿으로 이용되는 발광 다이오드
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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들을 포함하는 P 형 산화 아연층을 형성하는 단계; 상기 P 형 산화 아연층 상에 에피택셜 계면(epitaxial interface)를 갖는 동종 접합을 형성하도록, 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층을 형성하는 단계; 및상기 N 형 산화 아연층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 나노 디스크들은 0
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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들을 포함하는 P 형 산화 아연층을 형성하는 단계; 상기 P 형 산화 아연층 상에 에피택셜 계면(epitaxial interface)를 갖는 동종 접합을 형성하도록, 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층을 형성하는 단계; 및상기 N 형 산화 아연층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들은아연 전구체와 P 형 도펀트의 전구체를 준비하는 단계;상기 아연 전구체와 상기 P 형 도펀트의 전구체를 혼합하여 제 1 혼합물을 제공하는 단계; 및상기 제 1 혼합물을 고압 반응기에서 반응시키는 단계에 의해 합성되는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 혼합물에 구조 유도제를 추가하여, 제 2 혼합물을 더 제공하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 고압 반응기에 의해 반응 물질을 냉각시키는 단계; 원심 분리기를 이용하여, 상기 냉각된 반응 물질로부터 상기 나노 디스크들을 포함하는 백강홍(white precipitate)을 수집하는 단계; 및상기 수집된 백강홍을 세척하여 상기 나노 디스크들을 수득하는 단계를 포함하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 P 형 산화 아연층을 형성하는 단계는,상기 산화 아연 나노 디스크들의 분산 용액을 제공하는 단계; 상기 분산 용액을 피처리 표면 상에 적하시켜, 상기 산화 아연 나노 디스크들이 전개된 이차원 단층을 상기 피처리 표면 상에 형성하는 단계; 상기 피처리 표면 상에 형성된 상기 산화 아연 나노 디스크들의 상기 이차원 단층을 상기 제 1 전극 상으로 전달하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 N 형 산화 아연층을 형성하는 단계는,상기 나노 디스크들 사이의 갭들을 절연체로 채우는 단계; 및 상기 나노 디스크들의 상부 표면에 상기 나노 로드들을 수열 합성법(hydrothermal)을 이용하여 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 제 2 전극을 형성하는 단계는,상기 나노 로드들 사이의 갭들을 절연체로 채우는 단계; 상기 나노 로드들의 상부 표면에 상기 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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