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인쇄 회로 기판,상기 인쇄 회로 기판에 장착되는 복수의 메모리 칩, 그리고상기 복수의 메모리 칩에 저장된 데이터에 대해서 데이터 스크러빙(data scrubbing)을 수행하는 메모리 컨트롤러를 포함하며,각 메모리 칩은 복수의 자기 저항 메모리 셀을 포함하고,각 자기 저항 메모리 셀은 자기 저항 소자와 상기 자기 저항 소자로 전류를 전달하는 액세스 트랜지스터를 포함하며, 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory, DRAM) 셀 영역의 크기와 실질적으로 유사한 셀 영역의 크기를 가지는자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 자기 저항 메모리 셀은 상기 자기저항 소자로 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 소자를 사용하는 스핀 전달 토크 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory, STT-MRAM) 셀인 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 액세스 메모리의 크기는 9~12F2인 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 DRAM 셀은 듀얼 인라인 메모리 모듈(dual in-line memory module, DIMM)에 적용되는 DRAM 셀인 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 자기 저항 메모리 셀의 셀 영역 크기는 상기 복수의 자기 저항 메모리 셀을 포함하는 상기 메모리 칩이 DRAM 칩 대신에 상기 DIMM에 장착될 수 있는 크기를 가지는 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 자기 저항 메모리 모듈은 상기 메인 메모리로 사용되는 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 인쇄 회로 기판은 상기 데이터 스크러빙에 사용되는 에러 정정 부호(error correction code, ECC) 칩을 더 포함하는 자기 저항 메모리 모듈
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제1항에서,상기 메모리 컨트롤러는, 페이지가 써지거나 스크럽될 때마다 상기 페이지에 카운터를 초기 값으로 설정하고, 사이클마다 상기 카운터를 카운트 다운하며, 상기 카운터가 0이 될 때 상기 페이지에 대해서 상기 데이터 스크러빙이 필요한지를 결정하고, 상기 데이터 스크러빙이 필요하다고 결정하면 상기 페이지의 스크러빙 동작을 스케줄링하는 자기 저항 메모리 모듈
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제8항에서,상기 메모리 컨트롤러는, 상기 데이터 스크러빙이 필요하지 않다고 결정하면, 상기 카운터를 상기 초기 값보다 작은 값으로 설정하는 자기 저항 메모리 모듈
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제8항에서,상기 메모리 컨트롤러는 학습 모델에 기초해서 상기 데이터 스크러빙이 필요한지를 결정하는 자기 저항 메모리 모듈
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제10항에서,상기 학습 모델은 강화 학습(reinforcement-learning, RL) 모델이며,상기 RL 모델의 행동은 스크러빙 명령 및 입출력(input/output) 요청에 따른 명령 중 어느 하나로 결정되고, 상기 RL 모델의 상태는 마지막 스크러빙 동작 이후에 경과한 시간 및 현재 비트 오류율(bit error rate, BER)을 포함하는 파라미터에 의해 결정되는자기 저항 메모리 모듈
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 자기 저항 메모리 모듈,상기 자기 저항 메모리 모듈을 메인 메모리로 사용하는 중앙 프로세싱 유닛(central processing unit, CPU), 그리고상기 자기 저항 메모리 모듈과 상기 CPU를 연결하는 시스템 버스를 포함하는 컴퓨팅 디바이스
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인쇄 회로 기판,상기 인쇄 회로 기판에 장착되는 복수의 메모리 칩, 그리고복수의 메모리 칩에 저장된 데이터에 대해서 데이터 스크러빙(data scrubbing)을 수행하는 메모리 컨트롤러를 포함하며,각 메모리 칩은 복수의 자기 저항 메모리 셀을 포함하고,각 자기 저항 메모리 셀은 자기 저항 소자와 상기 자기 저항 소자로 전류를 전달하는 액세스 트랜지스터를 포함하며, 9~12F2의 셀 영역 크기를 가지는 자기 저항 메모리 모듈
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제13항에서,상기 자기 저항 메모리 셀은 상기 자기저항 소자로 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 소자를 사용하는 스핀 전달 토크 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory, STT-MRAM) 셀인 자기 저항 메모리 모듈
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제13항에서,상기 DRAM 셀은 듀얼 인라인 메모리 모듈(dual in-line memory module, DIMM)에 적용되는 DRAM 셀인 자기 저항 메모리 모듈
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제13항에서,상기 메모리 컨트롤러는, 페이지가 써지거나 스크럽될 때마다 상기 페이지에 카운터를 초기 값으로 설정하고, 사이클마다 상기 카운터를 카운트 다운하며, 상기 카운터가 0이 될 때 상기 페이지에 대해서 상기 데이터 스크러빙이 필요한지를 결정하고, 상기 데이터 스크러빙이 필요하다고 결정하면 상기 페이지의 스크러빙 동작을 스케줄링하는 자기 저항 메모리 모듈
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제16항에서,상기 메모리 컨트롤러는, 상기 데이터 스크러빙이 필요하지 않다고 결정하면, 상기 카운터를 상기 초기 값보다 작은 값으로 설정하는 자기 저항 메모리 모듈
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제16항에서,상기 메모리 컨트롤러는 학습 모델에 기초해서 상기 데이터 스크러빙이 필요한지를 결정하는 자기 저항 메모리 모듈
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제18항에서,상기 학습 모델은 강화 학습(reinforcement-learning, RL) 모델이며,상기 RL 모델의 행동은 스크러빙 명령 및 입출력(input/output) 요청에 따른 명령 중 어느 하나로 결정되고, 상기 RL 모델의 상태는 마지막 스크러빙 동작 이후에 경과한 시간 및 현재 비트 오류율(bit error rate, BER)을 포함하는 파라미터에 의해 결정되는자기 저항 메모리 모듈
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제13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 자기 저항 메모리 모듈,상기 자기 저항 메모리 모듈을 메인 메모리로 사용하는 중앙 프로세싱 유닛(central processing unit, CPU), 그리고상기 자기 저항 메모리 모듈과 상기 CPU를 연결하는 시스템 버스를 포함하는 컴퓨팅 디바이스
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