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실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 단면상에서 서로 이격되도록 복수의 전극들을 배치하는 단계; 및상기 복수의 전극들을 커버하도록 가스 감지층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 가스 감지층 형성 단계는,상기 복수의 전극들을 커버하도록 금속 산화물 전구체 및 실리카 졸이 혼합된 혼합물을 도포하는 단계;상기 금속 산화물 전구체를 열분해하여 다공성 금속 산화물을 형성하는 단계; 및상기 실리카 졸을 겔화(gelation)하여 실리카 겔을 형성하는 단계를 포함하고,상기 실리카 겔을 형성하는 단계는 상기 실리콘 기판의 실리콘과 상기 실리카 겔의 실리콘 또는 산소를 화학 결합하는 것을 포함하고,상기 다공성 금속 산화물을 형성하는 단계 및 상기 실리카 겔을 형성하는 단계는 동일한 열처리 공정에 의해 한번에 수행되는 가스 센서 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 전극들 중 서로 인접하는 두 전극 사이에 상기 기판의 표면 중 적어도 일부를 노출시키는 갭 영역이 정의되고,상기 가스 감지층은 상기 갭 영역을 충전(fill)하는 가스 센서 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 가스 감지층은 상기 실리콘 기판의 노출된 표면에 접촉하는 가스 센서 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 금속-유기 골격체(MOF, Metal-Organic Framework)를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물은 포름알데히드, 에탄올, 아세톤, 및 암모니아 등을 감지하는 가스 감지 물질인 가스 센서 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물은 구리(Cu) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 및 티타늄(Ti) 산화물으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 멤스(micro-electro-mechanical systems, MEMS) 공정이 이루어진 실리콘 미세 구조물 기판인 가스 센서 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체 및 실리카 졸 혼합물을 도포하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing), 잉크 젯 프린팅(inkjet printing), 또는 드롭 코팅(drop-coating) 공정 중 어느 하나로 수행되는 가스 센서 제조 방법
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