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3차원 그래핀 구조체의 제조 방법 및 에너지 저장 소자(Method of manufacturing of 3-dimensional graphene structure and Energy storage device)

  • 기술번호 : KST2018005852
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 그래핀 구조체의 제조 방법 및 에너지 저장 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 3차원 그래핀 구조체의 제조 방법은 탄수화물 및 기체 발생제를 가열하여, 그래핀 전구체를 형성하는 것; 상기 그래핀 전구체를 탄소화시켜, 그 내부에 중공을 갖는 그래핀 구조체를 형성하는 것; 및 상기 그래핀 구조체에 나노기공을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 나노기공은 상기 그래핀 구조체의 외면 및 내면을 관통하며, 상기 중공과 연결될 수 있다.
Int. CL C01B 32/182 (2017.01.01) H01G 11/32 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170032717 (2017.03.15)
출원인 한국전자통신연구원, 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0050593 (2018.05.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160146380   |   2016.11.04
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태영 대한민국 서울시 송파구
2 유인규 대한민국 충청남도 공주시
3 김빛나 대한민국 대전광역시 유성구
4 김인규 대한민국 대전시 유성구
5 정성훈 대한민국 경기도 용인시 수지구
6 박승준 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0258263-19
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0191196-36
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번호 청구항
1 1
탄수화물 및 기체 발생제를 가열하여, 그래핀 전구체를 형성하는 것;상기 그래핀 전구체를 탄소화시켜, 그 내부에 중공을 갖는 그래핀 구조체를 형성하는 것; 및 상기 그래핀 구조체에 나노기공을 형성하는 것을 포함하고, 상기 나노기공은 상기 그래핀 구조체의 외면 및 내면을 관통하며, 상기 중공과 연결되는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노기공을 형성하는 것은 상기 그래핀 구조체에 활성화제를 첨가하여, 혼합물을 형성하는 것; 및상기 혼합물을 열처리하는 것을 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 활성화제는 수산화 칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), 인산(H3PO4), 및 염화아연(ZnCl2) 중에서 적어도 하나를 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 혼합물을 열처리하는 것은 600℃ 내지 1000℃의 온도 조건에서 수행되는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 나노기공을 형성하는 것은 반응 가스를 600℃ 내지 1000℃의 온도 조건에서 상기 그래핀 구조체 상에 제공하는 것을 더 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 나노기공을 형성하는 것은반응 가스를 상기 그래핀 구조체 상에 제공하는 것을 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 반응 가스는 600℃ 내지 1000℃의 온도 조건에서 상기 그래핀 구조체 상에 제공되고, 상기 반응 가스는 이산화탄소(CO2)를 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 그래핀 전구체의 탄소화는 800℃ 내지 1400℃의 온도 조건에서 수행되는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 구조체는 복수의 적층된 그래핀들을 포함하는 3차원 그래핀 구조체 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 중공은 1 μm 내지 1 mm 의 평균 직경을 갖고, 상기 나노기공은 0
11 11
제1 집전체 및 상기 제1 집전체 상의 제1 그래핀 구조체를 포함하는 제1 전극 구조체, 상기 제1 그래핀 구조체는 그 내부에 제1 중공을 갖고, 제1 나노기공이 상기 제1 그래핀 구조체의 외면과 내면을 관통하여, 상기 제1 중공과 연결되고; 상기 제1 전극 구조체와 이격되고, 제2 집전체 및 상기 제2 집전체 상의 제2 그래핀 구조체를 포함하는 제2 전극 구조체, 상기 제2 그래핀 구조체는 그 내부에 제2 중공을 갖고, 제2 나노기공이 상기 제2 그래핀 구조체의 내면 및 외면을 관통하여, 상기 제2 중공과 연결되고;상기 제1 전극 구조체 및 상기 제2 전극 구조체 사이에 개재되는 전해질; 및 상기 전해질 내의 분리막을 포함하고, 상기 전해질은 상기 제1 중공, 상기 제1 나노기공, 상기 제2 중공, 및 상기 제2 나노기공 내에 제공되는 에너지 저장 소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 전해질은 상기 제1 그래핀 구조체의 상기 내면 및 상기 외면, 그리고 상기 제2 그래핀 구조체의 상기 내면 및 상기 외면과 물리적으로 접촉하는 에너지 저장 소자
13 13
제 11항에 있어서, 상기 제1 그래핀 구조체는 상기 제1 집전체와 전기적으로 연결되는 에너지 저장 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 융합연구사업 차세대 ICT 기기용 3D 나노구조의 에너지 저장장치 개발