| 요약 |
고주파 소자 제조 방법은 고저항 실리콘 기판 상에 차례로 AlGaN/AlN 전이층, 도핑되지 않은 AlGaN 버퍼층, GaN 채널층, 도핑되지 않은 AlN 층, 도핑되지 않은 AlxGa1-xN(x=20~28%) 쇼트키층, 및 도핑되지 않은 GaN 캡핑층을 증착하여 반도체 기판을 형성하는 단계; 반도체 기판의 상부의 일측을 격자모양으로 트렌치 식각한 후, 트렌치 식각을 통해 제거된 영역을 채우는 오믹전극을 형성하는 단계; 반도체 기판의 상부의 타측에 이온주입 공정을 통해 소자격리영역을 형성하는 단계; 반도체 기판 상에 차례로 LPCVD SiN 박막 및 PECVD SiN 박막을 증착하는 단계; 전자빔 리소그라피 방법으로 PECVD SiN 박막 상에 게이트 패턴과 슬릿 모양의 보조 게이트 패턴을 구비한 비대칭 게이트 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 비대칭 게이트 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 이용하여 PECVD SiN 박막과 LPCVD SiN 박막을 차례로 식각하여 PECVD SiN 패턴과 LPCVD SiN 패턴을 형성하는 단계; 비대칭 게이트 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 광리소그라피 방법을 통해 PECVD SiN 패턴과 LPCVD SiN 패턴 상에 비대칭 게이트 전극의 T-형 헤드 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 플라즈마 식각 방법을 통해 도핑되지 않은 GaN 캡핑층 및 도핑되지 않은 AlxGa1-xN(x=20~28%) 쇼트키층을 차례로 리세스하는 단계; PECVD SiN 패턴 상에 게이트 금속을 증착한 후, 비대칭 게이트 전극의 T-형 헤드 포토레지스트 패턴을 제거하여, 비대칭 T-자형 게이트 전극을 형성하는 단계; 원자층증착(atomic layer deposition, ALD) 방법을 통해 알루미늄계열의 산화막을 PECVD SiN 패턴 및 비대칭 T-자형 게이트 전극 상에 증착하는 단계를 포함한다.
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