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천공된 구형 금속산화물 입자 및 그의 제조 방법(Hollow sphere structured metal oxide particle and preparing method thereof)

  • 기술번호 : KST2018005937
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기전도성 및 신뢰성이 우수한 천공된 구형 금속산화물 입자 및 그의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 천공된 구형 금속산화물 입자는 내부에 적어도 하나의 공동을 포함하는 구형 금속산화물 입자로서, 공동은 선형으로서, 구형 금속산화물 입자의 일표면에서 타표면을 가로지르며 형성되고, 공동에 의해 구형 금속산화물 입자의 양표면에는 개구가 형성된 구형 금속산화물 입자이다.
Int. CL C01G 51/04 (2006.01.01) H01M 4/48 (2010.01.01) H01G 11/46 (2013.01.01)
CPC C01G 51/04(2013.01) C01G 51/04(2013.01) C01G 51/04(2013.01) C01G 51/04(2013.01) C01G 51/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160146400 (2016.11.04)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0049907 (2018.05.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박지선 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이철승 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-1078635-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0018696-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0858872-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0134112-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0134127-78
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0436006-04
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0751775-94
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0751748-61
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0555729-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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선형의 유기물 템플릿 표면을 음이온 처리하는 전처리단계; 선형의 유기물 템플릿 표면에 구형의 금속산화물 입자를 형성하는 구형 금속산화물 입자 형성단계; 및표면에 구형 금속산화물 입자가 형성된 유기물 템플릿으로부터 유기물 템플릿을 제거하여 내부에 선형의 공동이 형성된 구형 금속산화물 입자를 얻는 유기물 템플릿 제거단계;를 포함하는 천공된 구형 금속산화물 입자 제조방법으로서,유기물 템플릿은, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴로니트릴, 및 폴리비닐리덴플루오라이드 중 적어도 하나인 고분자 소재인 천공된 구형 금속산화물 입자 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 공동의 개수는 상기 구형 금속산화물 입자 내부를 관통하는 유기물 템플릿의 개수에 따르는 것인 천공된 구형 금속산화물 입자 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 구형 금속산화물 입자 형성단계는, 수열합성법에 따라 수행되는 것인 천공된 구형 금속산화물 입자 제조방법
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1 산업통상자원부 비나텍(주) 나노융합산업핵심기술개발 차량 ISG전원용 나노구조 탄소소재기반 하이브리드 슈퍼커패시터 제품화 기술개발