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기판을 지지하며, 공정 공간을 제공하는 반응 챔버;상기 공정 공간 내의 제1 진공 상태에서, 화학-흡착 공정을 통하여 상기 기판 상에 박막을 형성하기 위하여 공정 가스 공급 라인을 통하여 공급되는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 모듈;상기 공정 공간 내에 상기 제1 진공 상태보다 높은 제2 진공 상태에서, 상기기판 상에 형성된 박막으로부터 발생한 X선 형광 물질을 분석하여 상기 박막에 관한 정보를 실시간으로 확보할 수 있는 검출 공정을 수행하는 X선 형광 분석 모듈; 및상기 제1 진공 및 제2 진공 상태로 사이에 진공도를 스위칭하는 스위칭 진공 모듈을 포함하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 X선 형광 분석 모듈은, 상기 박막을 향하여 X선을 조사하는 X선 조사기;상기 박막으로부터 발생하는 X선 형광의 경로를 가이드 하는 가이드 라인; 및상기 가이드 라인과 연결되며, 상기 가이드 라인에 의하여 가이드된 상기 X선 형광을 검출하는 검출기를 포함하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제2항에 있어서, 상기 X선 형광 분석 모듈은, 상기 가이드 라인에 구비되고 상기 X선 형광을 투과시키는 윈도우 및 상기 박막 형성 공정으로부터 상기 윈도우를 보호하는 개폐 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제2항에 있어서, 상기 X선 조사기는 상기 기판의 표면에 대하여 20ㅀ이하의 각도로 X선을 조사하는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 진공 모듈은, 상기 화학-흡착 공정을 위하여 상기 반응 챔버에 상기 제1 진공 상태를 형성하는 제1 진공 펌프 및 상기 검출 공정을 위하여 상기 반응 챔버에 상기 제2 진공 상태를 형성하는 제2 진공 펌프를 포함하는 진공 펌핑 유닛;상기 진공 펌핑 유닛 및 상기 반응 챔버에 연통되어 상기 반응 챔버의 압력을 센싱하는 압력 센싱 유닛; 및상기 진공 펌핑 유닛, 상기 압력 센싱 유닛 및 상기 반응 챔버 사이를 연결하고, 3-방향 밸브를 구비한 진공 라인 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제5항에 있어서, 상기 진공 라인 모듈은,상기 제1 진공 펌프 및 상기 반응 챔버를 상호 연결하며, 상기 공정 가스 공급 라인과 연결된 제1 진공 라인;상기 제1 진공 라인으로부터 분기되어 상기 제2 진공 펌프와 연결되는 제2 진공 라인; 및상기 제1 및 제2 진공 펌프들을 상호 연결시키는 펌핑 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제6항에 있어서, 상기 압력 센싱 유닛은 상기 반응 챔버의 제1 진공 상태를 감지하는 제1 압력 센서;상기 반응 챔버의 제2 진공 상태를 감지하는 제2 압력 센서; 및상기 제1 진공 라인으로부터 분기되어 상기 제1 및 제2 압력 센서들과 상기 반응 챔버를 연결시키는 센싱 라인을 포함하는 것을 특징으로 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 진공 상태는 1ㅧ10-5 Torr 이하의 압력을 갖는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 장치
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반응 챔버 내에서 제1 진공 상태에서, 공정 가스를 이용하는 화학-흡착 공정을 통하여 기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 수행하는 단계; 및상기 공정 공간 내에서 상기 제1 진공 상태보다 높은 제2 진공 상태에서 상기 기판 상에 형성된 박막으로부터 발생한 X선 형광 물질을 분석하여 상기 박막에 관한 정보를 실시간으로 확보할 수 있는 검출 공정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 박막 형성 공정 및 상기 검출 공정 사이에 상기 제1 진공 상태 및 제2 진공 상태로 진공도를 스위칭하는 진공도 스위칭 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 진공도 스위칭 단계는 3-방향 밸브를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 X선 형광분석 원자층 증착 방법
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