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하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 (quasi-2D) 페로브스카이트 단위 셀 (unit cell)을 포함하는, 준-2 차원 페로브스카이트 필름:[화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
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제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀이 하나 이상 포함되어 있는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 두께에 따라 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은, 용매 중 MX2, RNH3X 및 ANH3X을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액을 기재 상에 코팅하여 형성되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 표면-말단에 상기 ANH3 양이온이 결합되어 있고, 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 벌크에 상기 RNH3 양이온이 혼입되어 있는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 n의 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원이 조절되어 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 A는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R은 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+를 포함하고, 상기 X는 요오드 음이온이고, 상기 n은 2 내지 20의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항에 있어서,상기 n은 3 내지 10의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른, 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는, 발광 디바이스: [화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
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제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 발광층으로서 포함되는 것인, 발광 디바이스
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제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 발광 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스
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제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 두께에 따라 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른, 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는, 태양 전지: [화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
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제 13 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 광활성층으로서 포함되는 것인, 태양 전지
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제 13 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 안정성이 조절되어 상기 태양전지의 성능이 조절되는 것인, 태양 전지
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제 15 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 수분에 대한 안정성이 조절되어 상기 태양전지의 수명이 조절되는 것인, 태양 전지
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용매 중 MX2, RNH3X 및 ANH3X을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액을 기재 상에 코팅하여 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 형성하는 것을 포함하는, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법:[화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 MX2, RNH3X, ANH3X, 및 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
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제 17 항에 있어서,상기 A는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R은 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+이고, 상기 X는 요오드 음이온이고, 상기 n은 2 내지 20의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 n은 3 내지 10의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액 중에 포함되는 ANH3X와 RNH3X의 몰 비율을 조절함으로써 상기 n의 값을 조절하는 것에 의하여 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
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