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준-2 차원 페로브스카이트 필름, 이를 포함하는 발광 디바이스 및 태양 전지, 및 이의 제조 방법(QUASI-2D PEROVSKITE FILM, PHOTOLUMINESCENCE DEVICE AND SOLAR CELL INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF PREPARING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018006134
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 준-2 차원 (quasi-2D) 페로브스카이트 단위 셀 (unit cell)을 포함하여 차원 조절이 가능한, 준-2 차원 페로브스카이트 필름, 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는 발광 디바이스 및 태양전지, 및 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170015007 (2017.02.02)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0050190 (2018.05.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160146958   |   2016.11.04
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190029977;1020190029991;
심사청구여부/일자 Y (2017.02.02)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 대한민국 서울특별시 마포구
2 에드워드 에이치. 사전트 캐나다 캐나다, 온타리오 엠*에스 *쥐*, 토론토,
3 전리나 중국 중국, ******

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0112444-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0078826-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0395173-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0794790-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0794815-74
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0864878-51
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0048462-42
9 법정기간연장승인서
2019.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0011691-28
10 면담 결과 기록서
2019.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0008001-17
11 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0106790-52
12 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0106777-68
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0106755-64
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.01.29 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2019-0106758-01
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0106353-60
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2019.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0106351-79
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0269463-60
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0269367-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 (quasi-2D) 페로브스카이트 단위 셀 (unit cell)을 포함하는, 준-2 차원 페로브스카이트 필름:[화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
2 2
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀이 하나 이상 포함되어 있는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
3 3
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 두께에 따라 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
4 4
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은, 용매 중 MX2, RNH3X 및 ANH3X을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액을 기재 상에 코팅하여 형성되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
5 5
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 표면-말단에 상기 ANH3 양이온이 결합되어 있고, 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 벌크에 상기 RNH3 양이온이 혼입되어 있는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
6 6
제 1 항에 있어서,상기 n의 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원이 조절되어 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
7 7
제 1 항에 있어서,상기 A는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R은 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+를 포함하고, 상기 X는 요오드 음이온이고, 상기 n은 2 내지 20의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
8 8
제 1 항에 있어서,상기 n은 3 내지 10의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른, 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는, 발광 디바이스: [화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
10 10
제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 발광층으로서 포함되는 것인, 발광 디바이스
11 11
제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 발광 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스
12 12
제 9 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 두께에 따라 광 루미네선스 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스
13 13
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른, 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는, 태양 전지: [화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
14 14
제 13 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 광활성층으로서 포함되는 것인, 태양 전지
15 15
제 13 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 안정성이 조절되어 상기 태양전지의 성능이 조절되는 것인, 태양 전지
16 16
제 15 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 수분에 대한 안정성이 조절되어 상기 태양전지의 수명이 조절되는 것인, 태양 전지
17 17
용매 중 MX2, RNH3X 및 ANH3X을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액을 기재 상에 코팅하여 하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 형성하는 것을 포함하는, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법:[화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 MX2, RNH3X, ANH3X, 및 상기 식에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수임
18 18
제 17 항에 있어서,상기 A는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R은 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+이고, 상기 X는 요오드 음이온이고, 상기 n은 2 내지 20의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
19 19
제 17 항에 있어서,상기 n은 3 내지 10의 정수인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
20 20
제 17 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 전구체 용액 중에 포함되는 ANH3X와 RNH3X의 몰 비율을 조절함으로써 상기 n의 값을 조절하는 것에 의하여 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원이 조절되는 것인, 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 이화여자대학교 산학협력단 기초연구사업(학술진흥)-중견연구자지원사업-도약연구지원사업(도전)(융합) 플라즈모닉 결합효과 극대화 발현 하이브리드 나노구조체 도출에 의한 광전환 효율 향상 연구
2 미래창조과학부 이화여자대학교 산학협력단 기후변화대응 기초원천기술개발과제 친환경 페로브스카이트 태양 전지 맞춤형 전하전달층 개발 및 소자 최적화 연구