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투명한 재료로 형성된 기판;상기 기판의 일면 상에 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하며, 적어도 상기 활성층과 상기 p형 반도체층이 2차원으로 배열된 복수의 단위 적층구조물로 분리되어 마이크로 픽셀 어레이를 이루는 반도체 적층체;상기 복수의 단위 적층구조물 각각의 상기 p형 반도체층 상에 각각 형성되는 p형 전극;상기 반도체 적층체 상에 적층되는 절연층;상기 절연층을 통해 상기 반도체 적층체 상에 적층되어 형성되며, 상기 p형 전극 각각과 전기적으로 연결되어 상기 활성층의 발광을 제어하는 복수의 트랜지스터부;상기 복수의 트랜지스터부 상에 적층되는 평탄절연층;상기 평탄절연층 상에 적층되어 상기 복수의 단위 적층구조물 각각에 대응되는 각 마이크로 픽셀마다 형성되며, 상기 평탄절연층을 식각한 비아홀을 통해 상기 복수의 트랜지스터부와 전기적으로 각각 연결되는 캐패시터부;상기 p형 반도체층 상에 제공되는 반사층;2차원으로 배열된 상기 복수의 트랜지스터부를 제1 방향 라인별로 연결하는 제1 배선을 각각 포함하며, 상기 복수의 트랜지스터부 각각에 연결되는 복수의 소스 패드; 및상기 복수의 트랜지스터부를 상기 제1 방향 라인과 교차하는 제2 방향 라인별로 연결하는 제2 배선을 각각 포함하며, 상기 복수의 트랜지스터부 각각에 연결되는 복수의 게이트 패드;를 포함하고,상기 캐패시터부의 용량은 상기 복수의 단위 적층구조물 각각을 구동하는 전류가 공급되는 상기 복수의 소스 패드 각각의 전류 공급 지점과 상기 캐패시터부의 거리에 따라 달라지는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 적층체는 상기 기판 상에 에피택셜 성장되는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되는 n형 전극;을 더 포함하고,상기 n형 전극은 상기 복수의 단위 적층구조물의 공통 전극으로 형성되는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 4에 있어서,상기 n형 전극은 상기 마이크로 픽셀 어레이의 외곽에 형성되는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 기판의 타면 상에 상기 복수의 단위 적층구조물에 대응되도록 제공되는 마이크로 렌즈;를 더 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 트랜지스터부는 상기 p형 전극에 접속되어 상기 p형 전극에 공급되는 전류를 스위칭하는 제1 트랜지스터를 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 10에 있어서,상기 트랜지스터부는 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 전기적으로 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전류를 스위칭하는 제2 트랜지스터를 더 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 p형 전극 또는 상기 트랜지스터부에 연결되는 방열 구조물;을 더 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 기판의 일면 또는 타면 상에 제공되어 상기 반도체 적층체에서 방출되는 빛의 특성을 변화시키는 광특성조정부;를 더 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드
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15
청구항 1 내지 청구항 2, 청구항 4 내지 청구항 5, 청구항 7, 청구항 10 내지 청구항 12, 및 청구항 14 중 어느 한 항의 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드; 및상기 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드가 상기 복수의 소스 패드 및 상기 복수의 게이트 패드를 통해 본딩되어 실장되는 회로 기판;을 포함하는 조명 장치
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청구항 15에 있어서,상기 회로 기판에 연결되어 상기 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드를 구동하는 드라이버 모듈;을 더 포함하고,상기 드라이버 모듈은,상기 트랜지스터부를 제어하는 제어신호를 생성하는 로직 회로부; 및상기 제어신호에 따라 상기 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드에 전류를 제공하는 파워 회로부를 포함하는 조명 장치
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청구항 16에 있어서,상기 로직 회로부와 상기 파워 회로부는 상기 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 주위에 분리되어 각각 배치되는 조명 장치
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청구항 16에 있어서,주변환경 정보를 측정하여 상기 드라이버 모듈에 전달하는 주변 측정부;를 더 포함하고,상기 드라이버 모듈은 상기 주변 측정부로부터 전달된 주변환경 정보에 따라 상기 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 발광 패턴을 제어하는 조명 장치
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투명한 재료로 형성된 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층체를 형성하는 단계;적어도 상기 활성층과 상기 p형 반도체층이 2차원으로 배열된 복수의 단위 적층구조물로 분리되어 마이크로 픽셀 어레이를 이루도록 상기 활성층과 상기 p형 반도체층을 식각하여 패터닝하는 단계;상기 p형 반도체층 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 복수의 단위 적층구조물 각각의 상기 p형 반도체층 상에 각각 p형 전극을 형성하는 단계;상기 반도체 적층체 상에 절연층을 적층하는 단계;상기 p형 전극 각각과 전기적으로 연결되도록 상기 절연층 상에 적층하여 2차원으로 배열된 복수의 트랜지스터부를 상기 반도체 적층체 상에 형성하는 단계;상기 복수의 트랜지스터부 상에 평탄절연층을 적층하는 단계;상기 평탄절연층을 식각한 비아홀을 통해 상기 복수의 트랜지스터부와 전기적으로 각각 연결되도록 상기 평탄절연층 상에 적층하여 상기 복수의 단위 적층구조물 각각에 대응되는 각 마이크로 픽셀마다 캐패시터부를 형성하는 단계;상기 복수의 트랜지스터부 상에 층간절연층을 형성하는 단계;상기 복수의 트랜지스터부 각각의 소스와 게이트의 적어도 일부가 각각 노출되도록 상기 층간절연층을 식각하는 단계;노출된 각각의 상기 소스를 제1 방향 라인별로 연결하도록 상기 층간절연층 상에 복수의 제1 배선을 포함하는 복수의 소스 패드를 형성하는 단계; 및노출된 각각의 상기 게이트를 상기 제1 방향 라인과 교차하는 제2 방향 라인별로 연결하도록 상기 층간절연층 상에 복수의 제2 배선을 포함하는 복수의 게이트 패드를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 캐패시터부를 형성하는 단계에서는 상기 캐패시터부의 용량이 상기 복수의 단위 적층구조물 각각을 구동하는 전류가 공급되는 상기 복수의 소스 패드 각각의 전류 공급 지점과 상기 캐패시터부의 거리에 따라 달라지도록 상기 캐패시터부를 형성하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 반도체 적층체를 형성하는 단계에서는 상기 기판 상에 상기 반도체 적층체를 에피택셜 성장시키는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 n형 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 n형 전극을 형성하는 단계에서는 상기 복수의 단위 적층구조물의 공통 전극으로 상기 n형 전극을 형성하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 기판 상에 상기 반도체 적층체에서 방출되는 빛의 특성을 변화시키는 광특성조정부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 마이크로 픽셀 어레이 발광다이오드의 제조방법
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