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동적(dynamic) 패턴 입력에 포함된, 정적(static)인 복수의 입력 패턴을 하나씩 인식하는 베이스 층 모듈; 및복수의 열(column)을 갖는 멤리스터 어레이(memristor array)에 포함된 복수의 멤리스터에 복수의 기준 순서를 저장하고,상기 인식된 복수의 입력 패턴의 입력 순서를 감지하고, 상기 감지된 입력 순서를 상기 복수의 멤리스터에 저장된 상기 복수의 기준 순서와 비교하고,상기 복수의 기준 순서 중 상기 감지된 입력 순서와 가장 일치하는 열(column)을 검출하는 순차 층 모듈을 포함하는 메모리 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 베이스 층 모듈은멤리스터의 상태가 HRS(High Resistance State) 또는 LRS(Low Resistance State)를 갖는 복수의 2진 멤리스터로 구성되고, 상기 복수의 2진 멤리스터가 동일한 상태를 갖는 제1 멤리스터 어레이 및 제2 멤리스터 어레이를 포함하는 트윈(twin) 멤리스터 크로스바와,상기 감지된 입력 순서를 상기 트윈 멤리스터 크로스바에 대응하는 복수의 기준 순서와 동시에 비교하고,상기 트윈 멤리스터 크로스바에 대응하는 상기 복수의 기준 순서 중 상기 감지된 입력 순서와 일치하는 열(column)을 결정하는 승자 독점 회로부를 포함하는메모리 회로
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제 2 항에 있어서, 상기 트윈 멤리스터 크로스바는 배타적 NOR(XNOR) 함수를 수행하는 적어도 하나의 멤리스터를 포함하는메모리 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 순차 층 모듈은서로 직렬 연결되고, 멤리스터의 상태가 HRS로 설정된 복수의 멤리스터와,상기 HRS로 설정된 복수의 멤리스터 사이 각각에 병렬 연결되어, 상기 베이스 층 모듈에서 인식된 상기 복수의 입력 패턴 각각을 입력받는 복수의 다이오드 스위치와,상기 HRS로 설정된 복수의 멤리스터에서 측정되는 측정 전압을 기준 전압을 비교하는 전압 비교기를 포함하는메모리 회로
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제 4 항에 있어서, 상기 복수의 다이오드 스위치는제1 다이오드 스위치 및 제2 다이오드 스위치를 포함하고,상기 전압 비교기는상기 베이스 층 모듈에서 입력받는 상기 복수의 입력 패턴 중 상기 제1 다이오드 스위치에 입력되는 입력 패턴에 따라, 상기 제1 다이오드 스위치와 연결된 제1 멤리스터에서 측정되는 제1 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 제1 전압 비교기와,상기 베이스 층 모듈에서 입력받는 복수의 입력 패턴 중 상기 제2 다이오드 스위치에 입력되는 입력 패턴에 따라, 상기 제2 다이오드 스위치와 연결된 제2 멤리스터에서 측정되는 제2 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 제2 전압 비교기를 포함하고,상기 전압 비교기는상기 제1 출력 전압 및 상기 제2 출력 전압 중 상기 기준 전압보다 낮은 전압에 대응하는 상기 제1 전압 비교기 및 상기 제2 전압 비교기 중 하나의 출력을 활성화시키는메모리 회로
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제 5 항에 있어서, 상기 제1 전압 비교기는상기 제1 다이오드 스위치에 입력되는 상기 입력 패턴에 대응하는 제1 펄스가 상기 제1 다이오드 스위치와 연결된 상기 제1 멤리스터에 전달되어 발생하는 상기 제1 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하고,상기 제2 전압 비교기는상기 제2 다이오드 스위치에 입력되는 상기 입력 패턴에 대응하는 제2 펄스가 상기 제2 다이오드 스위치와 연결된 상기 제2 멤리스터에 전달되어 발생하는 상기 제2 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하는메모리 회로
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복수의 열(column)을 갖는 멤리스터 어레이(memristor array)를 포함하는 메모리 회로의 동작 방법에 있어서,동적(dynamic) 패턴 입력에 포함된, 정적(static)인 복수의 입력 패턴을 하나씩 인식하는 단계;상기 인식된 복수의 입력 패턴의 입력 순서를 감지하는 단계;상기 멤리스터 어레이에 포함된 복수의 멤리스터에 저장된 복수의 기준 순서를 기초로, 상기 감지된 입력 순서를 상기 저장된 복수의 기준 순서와 비교하는 단계; 및비교 결과를 기초로, 상기 복수의 기준 순서 중 상기 감지된 입력 순서와 가장 일치하는 열(column)을 검출하는 단계를 포함하는동작 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 메모리 회로는,멤리스터의 상태가 HRS(High Resistance State) 또는 LRS(Low Resistance State)를 갖는 복수의 2진 멤리스터로 구성되고, 상기 복수의 2진 멤리스터가 동일한 상태를 갖는 제1 멤리스터 어레이 및 제2 멤리스터 어레이를 포함하는 트윈(twin) 멤리스터 크로스바를 포함하고,상기 복수의 입력 패턴을 하나씩 인식하는 단계는상기 감지된 입력 순서를 상기 트윈 멤리스터 크로스바에 대응하는 복수의 기준 순서와 동시에 비교하는 단계와,상기 트윈 멤리스터 크로스바에 대응하는 상기 복수의 기준 순서 중 상기 감지된 입력 순서와 일치하는 열(column)을 결정하는 단계를 포함하는동작 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 메모리 회로는서로 직렬 연결되고, 멤리스터의 상태가 HRS로 설정된 복수의 멤리스터와, 상기 HRS로 설정된 복수의 멤리스터 사이 각각에 병렬 연결되어, 상기 인식된 복수의 입력 패턴 각각을 입력받는 제1 다이오드 스위치 및 제2 다이오드 스위치를 포함하는 복수의 다이오드 스위치를 포함하고,상기 감지된 입력 순서를 상기 저장된 복수의 기준 순서와 비교하는 단계는상기 인식된 복수의 입력 패턴 중 상기 제1 다이오드 스위치에 입력되는 입력 패턴에 따라, 상기 제1 다이오드 스위치와 연결된 제1 멤리스터에서 측정되는 제1 출력 전압을 기준 전압과 비교하는 단계와,상기 인식된 복수의 입력 패턴 중 상기 제2 다이오드 스위치에 입력되는 입력 패턴에 따라, 상기 제2 다이오드 스위치와 연결된 제2 멤리스터에서 측정되는 제2 출력 전압을 기준 전압과 비교하는 단계를 포함하는동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제1 출력 전압을 기준 전압과 비교하는 단계는상기 제1 다이오드 스위치에 입력되는, 상기 입력 패턴에 대응하는 제1 펄스가 상기 제1 다이오드 스위치와 연결된 상기 제1 멤리스터에 전달되어 발생하는 상기 제1 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 단계를 포함하고,상기 제2 출력 전압을 기준 전압과 비교하는 단계는상기 제2 다이오드 스위치에 입력되는, 상기 입력 패턴에 대응하는 제2 펄스가 상기 제2 다이오드 스위치와 연결된 상기 제2 멤리스터에 전달되어 발생하는 상기 제2 출력 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 단계를 포함하는동작 방법
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제 10 항에 있어서,상기 감지된 입력 순서와 가장 일치하는 열을 검출하는 단계는상기 기준 전압과의 비교 결과를 기초로, 상기 제1 출력 전압 및 상기 제2 출력 전압 중 상기 기준 전압보다 낮은 전압에 대응하는 출력을 활성화하는 단계를 포함하는동작 방법
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