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반도체소자에 있어서,GaAs/AlGaAs 퀀텀웰층의 상부에 아일랜드 형태로 이격된 금속 나노 드롭렛들을 포함하는 활성층을 가지는 것을 특징으로 하되,상기 금속 나노 드롭렛은 Ga로 형성된 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 GaAs/AlGaAs 퀀텀웰층은 10(±5%)nm 두께의 Al0
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제3항에 있어서,상기 GaAs/AlGaAs 퀀텀웰층은 5nm(±5%) 두께의 GaAs의 캡층을 포함하는 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 GaAs/AlGaAs 퀀텀웰층은Al0
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제5항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체층은 20(±5%)nm 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제6항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체층은 GaAs 재질로 형성된 버퍼층 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 드롭렛은 20 ~ 40nm 직경의 반구 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 금속 나노 드롭렛은 30±5% nm 직경의 반구 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 드롭렛들은 0
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제2항에 있어서,상기 GaAs/AlGaAs 퀀텀웰층 및 상기 금속 나노 드롭렛의 상부를 덮는 금속층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제11항에 있어서,상기 금속층은 백금(Pt), 은(Silver), 니켈(nickel) 또는 금(gold) 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 오프 공명 플라즈모닉에서 광전자 방출 특성의 향상을 위한 금속 나노 드롭렛을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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