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활성 영역에 대응하는 개구를 구비하는 유연(flexible) 기판;상기 유연 기판의 상면을 덮고, 상기 활성 영역에서 상기 개구를 통해 하면의 일부가 노출되는 절연층;상기 활성 영역에서 상기 절연층의 상면 상에 형성된 채널층, 제1 및 제2 전극; 및상기 활성 영역에서 상기 개구를 통해 노출되는 상기 절연층의 하면 상에 형성되는 나노 구조체;를 포함하는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체는,금속 산화물, 금속, 화합물 반도체, 산화물 반도체 또는 이들의 조합으로 이루어진, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체는,나노로드(nanorod), 나노튜브(nanotube), 나노와이어(nanowire), 나노리프(nanoleaf), 꽃 형상(flower-like shape), 나노벨트(nanobelt), 나노링(nanoring), 나노헬릭스(nanohelix), 나노보우(nanobow), 나노도트(nanodot), 및 성게 형상(urchin shape) 중 어느 하나의 형상을 갖는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체의 상기 유연 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로의 길이는,상기 유연 기판의 상기 제1 방향으로의 두께보다 작은, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 채널층은, 유기 반도체 물질, 무기 반도체 물질, 및 화합물 반도체 물질 중 어느 하나룰 포함하는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은, 상기 활성 영역에서 상기 절연층의 상면의 일부를 덮고,상기 채널층은, 상기 활성 영역에서 상기 제1 및 제2 전극의 일부와, 상기 제1 및 제2 전극 사이로 노출되는 상기 절연층의 상면을 덮는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 채널층은, 상기 활성 영역에서 상기 절연층의 상면을 덮고,상기 제1 및 제2 전극은, 상기 활성 영역에서 상기 채널층 상에 형성되는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 개구는, 상기 유연 기판의 상면과 상기 유연 기판의 하면 사이에서 폭이 변하는 테이퍼 구조를 갖는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 채널층, 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 패시베이션층;을 더 포함하는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 유연 기판의 하면을 덮고, 상기 개구를 통해 노출되는 상기 절연층의 하면 및 상기 나노 구조체를 덮는 투명층;을 더 포함하는, 자외선 센서
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활성 영역이 정의된 유연 기판의 상면 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 활성 영역에서 상기 절연층 상에 채널층, 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;상기 채널층, 제1 및 제2 전극을 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 활성 영역에서 상기 유연 기판의 일부를 제거하여 상기 절연층의 하면의 일부를 노출시키는 개구를 형성하는 단계; 및상기 활성 영역에서 상기 개구를 통해 노출되는 상기 절연층의 하면 상에 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,상기 개구를 통해 노출되는 상기 절연층의 하면을 덮는 씨드층을 형성하는 단계; 및상기 씨드층이 형성된 부분에서만 선택적으로 상기 나노 구조체를 성장시키는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 채널층, 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 활성 영역에서 상기 절연층의 상면의 일부를 덮도록 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성 영역에서 상기 제1 및 제2 전극의 일부와 상기 제1 및 제2 전극 사이로 노출되는 상기 절연층의 상면을 덮도록 상기 채널층을 형성하는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 채널층, 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 활성 영역에서 상기 절연층 상에 상기 채널층을 형성하는 단계; 및상기 활성 영역에서 상기 채널층 상에 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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