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15 내지 40 몰%(mol%)의 산화텔루륨(tellurium dioxide, TeO2);20 내지 45 몰%의 산화붕소(boric oxdie, B2O3);10 내지 20 몰%의 산화아연(znic oxide, ZnO); 및5 내지 20 몰%의 산화바륨(barium oxide, BaO)를 포함하는 유리 프릿이 소성되어 형성한 TeO2-B2O3-ZnO-BaO계 투명 유리; 및상기 투명 유리 내에 마이크로 입자 형태로 분산된 산화물 형광체(phosphor)를 포함하고,상기 유리 프릿은 1000 ℃ 이상의 유리 프릿 소성 온도를 갖고, 상기 투명 유리는 상기 유리 프릿 소성 온도 보다 100 ℃ 이상 낮은 유리 소성 온도를 갖는 것을 특징으로 하는,파장 변환 유리
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제1항에 있어서,상기 산화물 형광체는 이트륨 알루미늄 가넷:세륨(YAG:Ce)인 것을 특징으로 하는,파장 변환 유리
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제1항에 있어서,상기 TeO2-B2O3-ZnO-BaO계 투명 유리는 TeO2, B2O3, ZnO, 및 BaO으로 구성됨을 특징으로 하는,파장 변환 유리
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15 내지 40 몰%의 TeO2, 20 내지 45 몰%의 B2O3, 10 내지 20 몰%의 ZnO, 및 5 내지 20 몰%의 BaO을 포함하는 파장 변환 유리용 유리 프릿(frit) 조성물을 준비하는 단계;상기 유리 프릿 조성물을 1000 ℃ 이상의 유리 프릿 소성 온도에서 소성하여, TeO2, B2O3, ZnO 및 BaO이 균일하게 용융된 투명 유리를 형성한 후, 이를 분말화하여 TeO2-B2O3-ZnO-BaO계 유리 프릿을 형성하는 단계;상기 TeO2-B2O3-ZnO-BaO계 유리 프릿과 산화물 형광체 분말을 혼합하여, 파장 변환 유리용 유리 조성물을 준비하는 단계; 및상기 파장 변환 유리용 유리 조성물을 상기 유리 프릿 소성 온도 보다 100 ℃ 이상 낮은 온도의 파장 변환 유리 소성 온도에서 소성하여, 상기 산화물 형광체가 마이크로 입자 형태로 분산된 투명한 파장 변환 유리를 형성하는 단계를 포함하는,파장 변환 유리의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 산화물 형광체는 이트륨 알루미늄 가넷:세륨(YAG:Ce)인 것을 특징으로 하는,파장 변환 유리의 제조 방법
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광원; 및제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 파장 변환 유리를 포함하되,상기 파장 변환 유리는 상기 광원에서 방출된 광의 파장을 변환하는,발광 장치
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제12항에 있어서,상기 광원은 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 레이저 다이오드(laser diode, LD), 및 레이저 중 적어도 어느 하나를 포함하는,발광 장치
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