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제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상기 제 1 영역 상에 배치되는 제 1 광 도파로, 상기 제 1 광 도파로의 일부는 상기 제 1 영역으로부터 상기 제 2 영역으로 연장되고; 및상기 제 1 영역의 상기 제 1 광 도파로 상에 배치되는 광 검출부를 포함하되,상기 광 검출부는:상기 제 1 광 도파로 상에 배치되고, n-형의 도전형을 갖는 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층의 일부를 덮는 제 2 반도체층; 및 상기 제 2 반도체층 상에 배치되고, p-형의 도전형을 갖는 제 3 반도체층을 포함하고,상기 제 2 반도체층은 진성(intrinsic)의 제 1 흡수층 및 제 1 흡수층 상에 배치되는 p-형의 제 2 흡수층을 포함하는 광 검출 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 도파로 및 상기 광 검출부 사이에 배치되는 제 2 광 도파로를 더 포함하되,상기 제 2 광 도파로의 일부는 상기 반도체 기판의 상기 제 2 영역의 상기 제 1 광 도파로 상으로 연장되는 광 검출 소자
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3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 영역 상의 상기 제 2 광 도파로의 일부는, 상기 제 1 영역으로부터 멀어질수록 그의 폭이 감소하는 광 검출 소자
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4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 광 도파로의 굴절률은 상기 제 1 광 도파로의 굴절률보다 큰 광 검출 소자
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5
제 3 항에 있어서,상기 제 2 광 도파로는 제 2 영역 상에서 그의 하부의 폭이 그의 상부의 폭보다 큰 광 검출 소자
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6
제 2 항에 있어서,상기 제 2 광 도파로는 제 2 영역 상에서 상기 광 검출부로부터 멀어질수록 그의 두께가 감소하는 광 검출 소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 광 검출부는:상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층 사이에 배치되는 컬렉션층을 더 포함하되,상기 컬렉션층은 진성(intrinsic)인 광 검출 소자
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8
제 7 항에 있어서,상기 컬렉션층은:상기 홀은 상기 제 2 반도체층의 일 측에 배치되고,상기 제 1 반도체층을 노출시키는 홀을 갖는 광 검출 소자
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9
제 1 항에 있어서,상기 광 검출부는:상기 제 2 반도체층 및 상기 제 3 반도체층 사이에 배치되는 클래드층을 더 포함하되,상기 클래드층은 p-형의 도전형을 갖는 광 검출 소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 흡수층 및 상기 제 2 흡수층은 0 마이크로미터 초과 1 마이크로미터 이하의 두께를 갖는 광 검출 소자
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11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 흡수층 및 상기 제 2 흡수층은 인듐갈륨비소(InGaAs) 또는 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 포함하는 광 검출 소자
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12
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 포함하고, 및상기 제 3 반도체층은 인듐인(InP), 인듐갈륨비소(InGaAs) 또는 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 포함하는 광 검출 소자
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13
제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 도파로는,인듐갈륨비소인(InGaAsP)층 및 인듐인(InP)층이 교번하여 적층되는 복층 구조인 광 검출 소자
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