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기판 상에 하부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 하부 클래드 층 상에 제 1 및 제 2 도파로들을 형성하는 단계; 상기 제 1 및 제 2 도파로들 사이의 제 1 및 제 2 열전 레그들을 갖는 열전 소자를 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 도파로들, 상기 열전 소자 그리고 상기 하부 클래드 층의 일부 상에 상부 클래드 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 및 제 2 도파로들을 형성하는 단계는:상기 하부 클래드 층 상에 실리콘 층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 층을 패터닝하여 상기 제 1 및 제 2 도파로들과, 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들의 예비 열전 레그들을 형성하는 단계를 포함하는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열전 소자를 형성하는 단계는:상기 예비 열전 레그들의 제 1 부분들 내에 제 1 불순물을 주입하여 상기 제 1 열전 레그를 형성하는 단계;상기 예비 열전 레그들의 제 2 부분들 내에 상기 제 1 불순물과 다른 제 2 불순물을 주입하여 상기 제 2 열전 레그들을 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 열전 레그들을 직렬로 연결하는 제 1 및 제 2 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 광 스위치의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극들은 상기 제 1 도파로와 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들 사이에 형성되되,상기 제 2 전극들은 상기 제 2 도파로와 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들 사이에 형성되는 광 스위치의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 상부 클래드 층은 상기 제 1 및 제 2 도파로들과 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 형성되는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도파로들은 제 1 방향으로 형성되되,상기 열전 레그들은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도파로들은:광 결합 영역들; 및상기 광 결합 영역들 사이의 위상 시프팅 영역을 포함하되,상기 열전 소자는 상기 위상 시프팅 영역 내에 형성되는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 클래드 층 및 상기 상부 클래드 층은 실리콘 산화물을 포함하는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 층은 화학기상증착방법 및 레이저결정화방법으로 형성된 결정 실리콘을 포함하는 광 스위치의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 단결정 실리콘, 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 산질화물을 포함하는 광 스위치의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 실리콘 층이 상기 단결정 실리콘을 포함할 경우, 상기 기판, 상기 하부 클래드 층 및 상기 실리콘 층은 실리콘 온 인슐레이터 기판인 광 스위치의 제조방법
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기판 상의 하부 클래드 층; 상기 하부 클래드 층 상의 제 1 및 제 2 도파로들; 상기 제 1 및 제 2 도파로들 사이의 열전 소자; 및 상기 하부 클래드 층의 일부, 상기 열전 소자 그리고 상기 제 1 및 제 2 도파로들 상의 상부 클래드 층을 포함하되,상기 열전 소자는 상기 제 1 및 제 2 도파로들의 높이와 동일한 높이를 갖는 광 스위치
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제 11 항에 있어서,상기 열전 소자는:제 1 열전 레그;상기 제 1 열전 레그와 평행한 제 2 열전 레그; 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들을 직렬로 연결하고, 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들과 상기 제 1 도파로 사이의 제 1 전극; 및상기 제 1 및 제 2 열전 레그들을 직렬로 연결하고, 상기 제 1 및 제 2 열전 레그들과 상기 제 2 도파로 사이에 배치되는 제 2 전극을 포함하는 광 스위치
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도파로들은:광 결합 영역들; 및상기 광 결합 영역들 사이의 위상 시프팅 영역을 포함하되,상기 열전 소자는 상기 위상 시프팅 영역 내에 배치되는 광 스위치
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