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기판;상기 기판 상(on)에 배치되는 하부 산화물층, 상기 하부 산화물층 상에 금속 박막이 배치되어 형성된 금속층, 및 상기 금속층 상에 배치되는 상부 산화물층을 포함하는 전자수송층 일체형 투명전극; 및상기 상부 산화물층과 대향하고, 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층;을 포함하고,상기 상부 산화물층은 ZnO 박막으로 형성되어 상기 발광층으로 전자를 수송하고 정공의 유입을 차단하며,각각 상기 상부 산화물층의 외면으로부터 돌출되고, 서로 이격되어 배열되는 다수의 ZnO 산화물 나노로드;를 더 포함하며,상기 발광층은 각각의 상기 산화물 나노로드의 외면을 감싸면서 상부면이 요철 형태로 형성되는 페로브스카이트 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부 산화물층은Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Nb-O, Zr-O, Cu-O, In-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상으로 이루어지는 페로브스카이트 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 글라스(glass), 실리콘(Si), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상으로 이루어지는 페로브스카이트 발광소자
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